| 发明名称 |
Halbleiteranordnung mit isoliertem Gate und Verfahren zur Herstellung derselben |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE69530232(T2) |
申请公布日期 |
2004.02.05 |
| 申请号 |
DE19956030232T |
申请日期 |
1995.12.01 |
| 申请人 |
MITSUBISHI DENKI K.K., TOKIO/TOKYO |
发明人 |
TAKAHASHI, HIDEKI |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/40;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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