发明名称 |
形成屏蔽式只读存储器中的金属硅化物的方法 |
摘要 |
本发明是提供一种形成屏蔽式只读存储器中的金属硅化物的方法,包括下列步骤,先提供一已定义有周边电路区域与存储单元区域的半导体结构,且存储单元区域至少包含一埋入掺杂区;再形成一多晶硅层于半导体结构上,并移除外围电路区域上的部分多晶硅层,以于外围电路区域上形成至少一栅极结构;然后于栅极结构的侧壁上形成一间隙壁;再形成一金属硅化物于栅极结构与多晶硅层上;而后移除存储单元区域的部分金属硅化物与多晶硅层,以暴露出存储单元区域的埋入掺杂区。如此埋入掺杂区就不会因金属硅化物的形成而产生漏电的问题,同时外围电路区域可藉由金属硅化物降低其组件电阻。 |
申请公布号 |
CN1472796A |
申请公布日期 |
2004.02.04 |
申请号 |
CN02127427.4 |
申请日期 |
2002.08.02 |
申请人 |
上海宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
叶双凤 |
分类号 |
H01L21/8246 |
主分类号 |
H01L21/8246 |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
朱黎光 |
主权项 |
1.一种形成屏蔽式只读存储器中的金属硅化物的方法,其特征是包括下列步骤:提供一半导体结构,该半导体结构至少定义成一外围电路区域与一存储单元区域,该存储单元区域至少包含一埋入掺杂区;形成一多晶硅层于该半导体结构上,该多晶硅层至少覆盖于该外围电路区域与该存储单元区域上;移除该外围电路区域上的部分该多晶硅层,以于该外围电路区域上形成至少一栅极结构;形成一间隙壁于该栅极结构的侧壁上;形成一金属硅化物于该栅极结构上、该外围电路区域上与该存储单元区域的该多晶硅层上;以及移除该存储单元区域的部分该金属硅化物与该多晶硅层,以暴露出该存储单元区域的该埋入掺杂区。 |
地址 |
201203上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 |