| 发明名称 | 双端口静态存储器单元和包括该单元的半导体存储器装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种双端口静态存储器单元和包括该单元的半导体存储器装置，双端口静态存储器单元包括连接在位线和第一结点间的第一传输门、连接在补充位线和第二结点间的第二传输门、连接在第一结点和第二结点间的锁存器以及连接在第二结点和扫描位线间的PMOS晶体管，其中第一传输门的栅极连接至字线，第二传输门的栅极连接至字线，PMOS晶体管的栅极连接至扫描控制线。 | ||
| 申请公布号 | CN1472746A | 申请公布日期 | 2004.02.04 |
| 申请号 | CN03147180.3 | 申请日期 | 2003.07.08 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金泰亨;宋泰中 |
| 分类号 | G11C11/413 | 主分类号 | G11C11/413 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1.一种双端口静态存储器单元，包括：一第一传输门，其具有连接至字线的栅极且连接在位线和第一结点之间；一第二传输门，其具有连接至字线的栅极且连接在补充位线和第二结点之间；一锁存器，其连接在该第一结点和该第二结点之间；以及一PMOS晶体管，其具有连接至扫描控制线的栅极且连接在该第二结点和扫描位线之间。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||