| 发明名称 | 用于P－型SiC的电极 | ||
| 摘要 | 本发明的目的是提供一种用于p－型SiC的电极，它能够提供改良的表面形态和减少由于电极的形成而产生的对半导体晶层的热损害。本发明中制造的p－型电极包含选自镍(Ni)、钴(Co)、钯(Pd)和铂(Pt)中的至少一种。 | ||
| 申请公布号 | CN1473355A | 申请公布日期 | 2004.02.04 |
| 申请号 | CN02802829.5 | 申请日期 | 2002.09.02 |
| 申请人 | 丰田合成株式会社 | 发明人 | 中琢理;小西亮平;安河内隆一;小出康夫;村上正纪;柴田直树 |
| 分类号 | H01L21/28;H01L29/80;H01L33/00 | 主分类号 | H01L21/28 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 柳春琦 |
| 主权项 | 1.一种用于p-型SiC的电极，其包含选自镍(Ni)、钴(Co)、钯(Pd)和铂(Pt)中至少之一的第一电极材料。 | ||
| 地址 | 日本国爱知县 | ||