| 发明名称 | 具有晶种层的改进的谐振器 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有晶种层(40)的薄膜谐振器(32)及其制造方法。该谐振器(32)具有晶种层(38)，有利于谐振器(32)的高品质压电层(17)的构造。该谐振器(32)具有晶种层(38)、一个底部电极(16)、压电层(17)和一个顶部电极(20)。该晶种层(40)采用与压电层(17)相同的材料，例如氮化铝(ALN)。 | ||
| 申请公布号 | CN1472884A | 申请公布日期 | 2004.02.04 |
| 申请号 | CN03109418.X | 申请日期 | 2003.04.09 |
| 申请人 | 安捷伦科技有限公司 | 发明人 | 保罗·D·布拉德利;唐纳德·李;多明戈·A·菲格雷多 |
| 分类号 | H03H9/15;H03H9/17;H03H9/19 | 主分类号 | H03H9/15 |
| 代理机构 | 北京东方亿思专利代理有限责任公司 | 代理人 | 杜娟 |
| 主权项 | 1.一种构造于衬底(14)之上的谐振器(32)，该谐振器(32)包括：晶种层部分(40)；在所述晶种层之上的底部电极(16)；在所述底部电极之上的压电部分(18)；和在所述压电部分之上的顶部电极(20)。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||