| 发明名称 | 具有磁诱导高应变和形状记忆效应的磁性单晶及制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具有磁诱导高应变形状记忆效应的磁性单晶及其制备方法。该磁性单晶具有Ni<SUB>50+x</SUB>Mn<SUB>25－y</SUB>Fe<SUB>y</SUB>Ga<SUB>25+z</SUB>化学式，其中：－24.99<x<24.99；－24.99<y<24.99；－24.99<z<24.99。其制备方法包括将称好的料盛放在坩埚中，采用常规的提拉法生长Ni<SUB>50+x</SUB>Mn<SUB>25－y</SUB>Fe<SUB>y</SUB>Ga<SUB>25+z</SUB>磁性单晶，其生长条件为：加热NiMnFeGa原料到使之熔融；其熔融环境下以0.5－50转/分钟的速率旋转的带有籽晶的籽晶杆；在1020－1250℃的熔融温度条件下保持10－30分钟，用籽晶下端接触熔体的液面，然后以3－80mm/小时的均匀速率提升籽晶杆，将凝固结晶的单晶向上提拉，并使生长的单晶直径变大或保持一定；4.当生长的单晶达到所需尺寸时，将单晶提拉脱离熔融的原料表面，以0.5－20℃/分钟的缓慢降低温度冷却至室温，最后取出。该NiMnFeGa单晶由于含铁，而韧性比不含有铁的好。该NiMnFeGa单晶含有铁，其居里温度比不含有铁得以提高。 | ||
| 申请公布号 | CN1472370A | 申请公布日期 | 2004.02.04 |
| 申请号 | CN02125681.0 | 申请日期 | 2002.07.29 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 柳祝红;崔玉亭;张铭;王文洪;陈京兰;吴光恒 |
| 分类号 | C30B29/52;C30B15/00 | 主分类号 | C30B29/52 |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王凤华 |
| 主权项 | 1.一种具有磁诱导高应变和形状记忆效应的磁性单晶，其特征在于：具有如下化学式Ni50+xMn25-yFeyGa25+z 其中：-24.99＜x＜24.99；-24.99＜y＜24.99；-24.99＜z＜24.99；所述的Ni50+xMn25-yFeyGa25+z单晶的居里温度达152℃；杨氏模量低于13Gpa；最高达4.2％的磁场增强双向形状记忆效应；自由样品产生最高达1.2％的磁感生应变或磁致伸缩；超弹性为20％。 | ||
| 地址 | 100080北京市海淀区中关村南三街8号 | ||