| 发明名称 | 蚀刻剂及其在提高蚀刻选择比上的应用 | ||
| 摘要 | 一种蚀刻剂及其在提高蚀刻选择比(EtchingSelectivity)上的应用，此蚀刻剂至少包括磷酸(Phosphoric Acid；H<SUB>3</SUB>PO<SUB>4</SUB>)与可溶性硅(Si)化合物，例如含卤素的硅化合物或含卤素的硅化合物及其衍生物。此蚀刻剂应用在蚀刻氮化硅(SiN<SUB>4</SUB>)时，由于可溶性硅化合物与水产生水解反应，因此可有效提升氮化硅与氧化硅(SiO<SUB>2</SUB>)之间的蚀刻选择比。 | ||
| 申请公布号 | CN1472361A | 申请公布日期 | 2004.02.04 |
| 申请号 | CN02127845.8 | 申请日期 | 2002.08.01 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 庄平;李鸿业;罗冠腾 |
| 分类号 | C23F1/24 | 主分类号 | C23F1/24 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 任永武 |
| 主权项 | 1.一种蚀刻剂，适用于蚀刻氮化硅其特征在于，该蚀刻剂至少包括：一磷酸；以及一含硅化合物掺入该磷酸中，其中该含硅化合物具有一浓度。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹县园区三路121号 | ||