发光器件

摘要

一种半导体发光器件，提供具有增强光辐射能力的大辐射表面。N型GaN层和P型GaN层叠置以在其间限定界面，通过给该界面施加电压而产生光。开发了其上生长GaN层的光波导，用于提供发射光的宽辐射表面。辐射表面形成有由第一介质和第二介质的阵列构成的折射层，第一介质和第二介质具有互不相同的各自的折射率，并穿过辐射表面交替设置。这样，可最佳利用光波导以提供大辐射表面，并形成有折射层，减少了光导内部的多次反射，用于使通过光导传输的光有效地通过或辐射。

主权项

1、一种发光器件，包括：产生光的半导体发光单元(20)，所述发光单元由第一导电类型的第一半导体层(21)和与第一导电类型相反的第二导电类型的第二半导体层(22)构成，所述第二半导体层整体叠置在所述第一半导体层上，以便在其间限定界面；一对电极(31，32)，分别固定到所述第一和第二半导体层上以给界面施加电压，用于从所述界面周围发射光，叠置在所述第一半导体层上并引导光的光波导(10；60)，所述第一半导体层直接形成在所述光波导上以便与所述光波导和所述第二半导体层形成整体结构；所述光波导具有发射所述光的辐射表面，其特征是，所述辐射表面形成有包括第一介质(41)和第二介质(42；43)的折射层(40)，所述第一和第二介质具有互不相同的折射率并跨过所述辐射表面交替设置。