在半导体器件中形成铜引线的方法

摘要

本发明公开了一种在半导体器件中形成铜引线的方法。沿着包括镶嵌图案的层间绝缘膜的表面连续形成铜阻挡金属层和铜种层。将晶片载入已填入镀铜溶液的电镀设备上，并将负(－)电源施加至晶片，如此进行镀铜，使得充分填满镶嵌图案，由此形成铜层。然后，通过将负(－)电源变更成正(+)电源，经由电抛光工艺在电镀溶液中抛光铜层。据此，位于整个晶片上的铜层表面为平坦表面。之后，执行化学机械研磨工艺，直到暴露层间绝缘膜的表面，由此在镶嵌图案内形成铜引线。如此，在电镀溶液中蚀刻电镀工艺所电镀的铜层的非平坦表面，由此使铜层表面平坦化，并使铜层厚度变薄。因此可防止在后续化学机械研磨工艺中出现凹形现象或侵蚀现象。

主权项

1.一种在半导体器件中形成铜引线的方法，包括下列步骤：在形成于衬底上的层间绝缘膜中形成镶嵌图案；在包括该镶嵌图案的该层间绝缘膜的表面上连续形成铜阻挡金属层和铜种层；进行铜电镀工艺，用铜层填满该镶嵌图案；通过铜电抛光工艺抛光该铜层，以形成具有平坦表面和薄厚度的已抛光铜层；以及通过化学机械研磨工艺抛光该已抛光铜层、该铜种层和该铜阻挡金属层，从而曝露该层间绝缘膜的表面，由此在该镶嵌图案内形成铜引线。