| 发明名称 | 具有存储区域和外围区域的半导体存储器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种具有存储区域和外围区域的半导体存储器件，包括：存储单元，配置为存储数据，存储单元在半导体衬底的存储区域内形成，并且具有第一栅电极、第一和第二扩散层，第一栅电极具有第一上表面和第一侧表面；外围晶体管，在半导体衬底的外围区域内形成，具有第二栅电极、第三和第四扩散层，第二栅电极具有第二上表面和第二侧表面；第一接触层，连接到外围晶体管中第二栅电极的第二上表面；以及氮化硅层，在存储单元中第一栅电极的第一侧表面和外围晶体管中第二栅电极的第二侧表面的上方形成，氮化硅层不与第一接触层接触，在第一和第二栅电极的第一和第二侧表面上方形成的氮化硅层的厚度近似一致。 | ||
| 申请公布号 | CN1472815A | 申请公布日期 | 2004.02.04 |
| 申请号 | CN03145375.9 | 申请日期 | 2003.07.08 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 姬野嘉朗;角田弘昭 |
| 分类号 | H01L27/105;H01L27/112;G06K19/07;G06K19/077 | 主分类号 | H01L27/105 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 付建军 |
| 主权项 | 1.一种具有存储区域和外围区域的半导体存储器件，包括：存储单元，配置为存储数据，存储单元在半导体衬底的存储区域内形成，并且具有第一栅电极、第一和第二扩散层，第一栅电极具有第一上表面和第一侧表面；外围晶体管，在半导体衬底的外围区域内形成，具有第二栅电极、第三和第四扩散层，第二栅电极具有第二上表面和第二侧表面；第一接触层，连接到外围晶体管中第二栅电极的第二上表面；以及氮化硅层，在存储单元中第一栅电极的第一侧表面和外围晶体管中第二栅电极的第二侧表面的上方形成，氮化硅层不与第一接触层接触，在第一和第二栅电极的第一和第二侧表面上方形成的氮化硅层的厚度近似一致。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||