| 发明名称 | 用于第Ⅲ族氮化物化合物半导体器件的n－电极 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于使n－电极和由第III族氮化物化合物半导体形成的n－型层之间的电阻极大地减少。根据本发明，n－电极是由下列电极材料形成的：第一电极材料，由至少一种选自钒(V)、钛(Ti)、锆(Zr)、和钨(W)的金属构成；第二电极材料，由至少一种选自钯(Pd)、铂(Pt)、金(Au)、银(Ag)和铜(Cu)的金属构成；和第三电极材料，由至少一种选自铝(Al)、硅(Si)和锗(Ge)的金属构成。 | ||
| 申请公布号 | CN1473356A | 申请公布日期 | 2004.02.04 |
| 申请号 | CN02802830.9 | 申请日期 | 2002.09.02 |
| 申请人 | 丰田合成株式会社 | 发明人 | 村井俊介;村上正纪;小出康夫;柴田直树 |
| 分类号 | H01L21/28;H01L29/80;H01L33/00 | 主分类号 | H01L21/28 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 柳春琦 |
| 主权项 | 1.一种用于第III族氮化物化合物半导体器件的n-电极，其包含：第一电极材料，由至少一种选自钒、钛、锆和钨的金属构成；第二电极材料，由至少一种选自钯、铂、金、银和铜的金属构成；第三电极材料，由至少一种选自铝、硅和锗的金属构成。 | ||
| 地址 | 日本国爱知县 | ||