间隙结构之制造方法

摘要

本发明系关于一种间隙结构之制造方法，其系包含下列步骤：在一半导体基板（1）上形成一具有一闸极沈积禁止层（2A）之闸极绝缘层（2），一闸极层（3）和一覆盖沈积禁止层（4）；及图案化该闸极层（3）和该覆盖沈积禁止层（4）以形成一闸极堆叠（G），一利用沈积禁止层（2A，4）而被选择性沈积，一绝缘层（6）系以达到高准确形成间隙结构之目的。