| 主权项 |
1.一种半透过反射型液晶装置,属于具有在于表面形成第1之透明电极的第1之基板,和在于与前述第1之电极对向的面侧,形成第2之透明电极的第2之基板,和保持于前述第1之基板和前述第2之基板间的液晶层;前述第1之基板系将于前述第1之透明电极和前述第2之透明电极所对向之画素范围,构成反射显示范围,将该画素范围之残留范围,成为透过显示范围之光反射层、令前述反射显示范围之前述液晶层之层厚较前述透过显示范围之前述液晶层之层厚为小的层厚调整层、以及前述第1之透明电极,自下层侧向上层侧,依此顺序具备的半透过反射型液晶装置中,其特征系前述反射显示范围和前述透过显示范围之临界范围中,前述光反射层之端缘存在于与形成于前述层厚调整层之端部的斜面,平面性几近重叠的范围内者。2.如申请专利范围第1项之半透过反射型液晶装置,其中,前述光反射层之端缘则与形成于前述层厚调整层之端部的斜面之上端缘,平面性几近重叠者。3.如申请专利范围第1项之半透过反射型液晶装置,其中,前述光反射层之端缘则与形成于前述层厚调整层之端部的斜面之下端缘,平面性几近重叠者。4.如申请专利范围第1项至第3项之任一项之半透过反射型液晶装置,其中,前述画素范围做为矩形范围加以形成,另一方面前述透过显示范围系位于明视方向侧的边做为向前述画素范围之边平面性几近重叠的矩形范围被加以形成,且于前述画素范围和前述透过显示范围之边之间所重叠之侧,对于该边,平面性几近重叠地,形成遮光膜者。5.如申请专利范围第4项之半透过反射型液晶装置,其中,邻接于前述画素范围和前述透过显示范围重叠之边,形成邻近之画素范围之反射显示范围者。6.一种半透过反射型液晶装置,属于具有在于表面形成第1之透明电极的第1之基板,和在于与前述第1之电极对向的面侧,形成第2之透明电极的第2之基板,和保持于前述第1之基板和前述第2之基板间的液晶层;前述第1之基板系将于前述第1之透明电极和前述第2之透明电极所对向之画素范围,构成反射显示范围,将该画素范围之残留范围,成为透过显示范围之光反射层、令前述反射显示范围之前述液晶层之层厚较前述透过显示范围之前述液晶层之层厚为小的层厚调整层、以及前述第1之透明电极,自下层侧向上层侧,依此顺序具备的半透过反射型液晶装置中,其特征系前述画素范围系做为矩形范围加以形成,另一方面,前述透过显示范围系位于明视方向侧的边做为向前述画素范围之边平面性几近重叠的矩形范围被加以形成,且于前述画素范围和前述透过显示范围之边之间所重叠之侧,对于该边,平面性几近重叠地,形成遮光膜者。7.如申请专利范围第6项之半透过反射型液晶装置,其中,邻接于前述画素范围和前述透过显示范围重叠之边,形成邻近之画素范围之反射显示范围者。8.如申请专利范围第1.2.3.6项之任一项之半透过反射型液晶装置,其中,具备形成于前述反射显示范围之反射显示用彩色滤色片,和形成于前述透过显示范围,较前述反射显示用彩色滤色片着色度为强之透过显示用彩色滤色片。9.如申请专利范围第8项之半透过反射型液晶装置,其中,前述反射显示范围和前述透过显示范围之临界范围中,前述反射显示用彩色滤色片之端缘与前述光反射层之端缘平面性重叠者。10.如申请专利范围第8项之半透过反射型液晶装置,其中,于前述前述反射显示范围和前述透过显示范围之临界范围,构成前述反射显示用彩色滤色片之层及/或构成前述透过显示用彩色滤色片之层中,设置堆积色调不同之2层以上的外敷部。11.如申请专利范围第10项之半透过反射型液晶装置,其中,前述外敷部中,重合有前述反射显示用彩色滤色片之端部和前述透过显示用彩色滤色片之端部者。12.如申请专利范围第10项之半透过反射型液晶装置,其中,前述反射显示范围和前述透过显示范围之临界范围中,于前述层厚调整层之端部,形成斜面,于与前述外敷部平面性重叠之范围内,存在前述斜面者。13.如申请专利范围第1.2.3.6.7项之任一项之半透过反射型液晶装置,其中,前述反射显示范围和前述透过显示范围之临界范围中,于前述层厚调整层之端部形成斜面,该斜面之平面性宽度为8m以下者。14.如申请专利范围第1.2.3.6.7项之任一项之半透过反射型液晶装置,其中,前述液晶层中,液晶之扭转角为90度以下者。15.一种电子机器,其特征系将如申请专利范围第1.2.3.6.7项之任一项之半透过反射型液晶装置具备于显示部者。图式简单说明:第1(A)、(B)、(C)图,系模式性显示关于本发明实施形态1之半透过反射型液晶装置,取出形成成为矩阵状复数画素范围中之一个平面图,该A-A'截面图及B-B'截面图。第2图系显示形成于如第1图所示之液晶装置之光反射层和层厚调整层的位置关系之说明图。第3(A)、(B)图,系模式性显示关于本发明实施形态2之半透过反射型液晶装置,取出形成成为矩阵状复数画素范围中之一个平面图,及该B-B'截面图。第4(A)、(B)、(C)图,系模式性显示关于本发明实施形态之半透过反射型液晶装置,取出形成成为矩阵状复数画素范围中之一个平面图,该A-A'截面图及该B-B'截面图。第5图系显示形成于第4图所示液晶装置之光反射膜与层厚调整层的位置关系说明图。第6(A)、(B)图,系模式性显示关于本发明实施形态之半透过反射型液晶装置,形成矩阵状复数画素范围中,取出一个之平面图,及该B-B'截面图。第7(A)、(B)图模式性显示关于本发明实施形态5之半透过反射型液晶装置,取出形成成为矩阵状复数画素范围中之一个平面图,及该B-B'截面图。第8图系显示关于本发明实施形态6之液晶装置下基板之各层位置关系说明图。第9图系显示关于本发明实施形态7之液晶装置下基板之各层位置关系说明图。第10图系显示关于本发明实施形态8之液晶装置下基板之各层位置关系说明图。第11图系显示关于本发明实施形态9之液晶装置下基板之各层位置关系说明图。第12图系模式性显示关于本发明半透过反射型TFD主动矩阵型液晶装置的电气构成之方块图。第13图系显示如第12图所示液晶装置构造之分解斜视图。第14图系于如第13图所示液晶装置,挟持液晶之一对基板中,元件基板之一个画素分的平面图。第15(A)、(B)图系各显示第14图之III-III'截面图,及第14图所示TFD元件的斜视图。第16图系关于将关于本发明之半透过反射型之TFT主动矩阵型液晶装置,由对向基板侧视得之平面图。第17图系第16图之H-H'线之截面图。第18图系第16图所示之液晶装置中,形成配置成矩阵状之复数之画素的各种元件、配线等之等效电路图。第19图系显示为于第16图所示之液晶装置中,形成于TFT阵列基板的各画素之构成平面图。第20图系将示于第16图之液晶装置之画素之一部分,于相当于第19图之C-C'线的位置加以切断时之截面图。第21图系显示有关本发明之液晶装置做为显示装置使用之电子机器之电路构成的方块图。第22图系显示做为使用有关本发明之液晶装置之电子机器之一实施形态的可携型个人电脑的说明图。第23图系显示做为使用有关本发明之液晶装置之电子机器之一实施形态的携带电话机的说明图。第24图(A)、(B)、(C)系各于以往之半透过反射型之液晶装置,模式性显示取出形成成为矩阵状之复数之画素范围之一个的平面图、该A-A'截面图及该B-B'截面图。第25图系显示于以往半透过反射型液晶装置中,于层厚调整层的斜面所发生液晶分子配向异常之说明图。第26图(A)、(B)系各显示于以往的半透过反射型液晶装置,进行黑显示时,自反射显示范围至透过显示范围的反射光强度分布,对于各平磨方向,进行模拟结果之说明图,及于以往时半透过反射型的液晶装置,进行黑显示时,由反射显示范围至透过显示范围的透过光强度的分布,对于平磨方向,进行平磨结果说明图。 |
