| 主权项 |
1.一种膜形成于基板上之方法,其包含:(A)将一基板进行下列至少其一之处理步骤:(A-1)至少一种选自包含紫外光照射处理、氧气电浆处理、氮气电浆处理、氦气电浆处理、氩气电浆处理、氢气电浆处理和氨气电浆处理之群组的处理;以及(A-2)以至少一种具有反应性基团之烷氧矽烷化合物及其水解和缩合之产物的处理;以及(B)涂布一供形成膜之组成物至基板以及加热所得之涂层的步骤,该组成物包含一有机溶剂和任一种或二种之选自包含以下通式(1)至(4)所表示之化合物之群组之至少一种化合物,与藉由水解和缩合此至少一种化合物所得之产物,HSi(OR1)3 (1)其中R1表示一单价有机基团,RaSi(OR2)4-a (2)其中R表示一氟原子或一单价有机基团;R2表示一单价有机基团;及a为1或2之整数,Si(OR3)4 (3)其中R3表示一单价有机基团,R4b(R5O)3-bSi-(R8)d-Si(OR6)3-cR7C (4)其中R4至R7为相同或不同,且各自表示一单价有机基团;b和c为相同或不同,且各自为0至2之整数;R8表示一氧原子、伸苯基、或以-(CH2)n-(其中n为1至6之整数)表示之基团;及d为0或1,其中,基板具有一由CVD法(化学气相沉积)所形成之膜,其包含矽及选自包含氧、碳、氮和氢之群组之至少一种元素。2.如申请专利范围第1项之膜形成于基板上之方法,其中,使用于步骤(A-2)之烷氧矽烷化合物之反应性基团为选自包含环氧基、异氰酸酯、乙烯基、羟基、乙醯氧基、胺基和巯基之群组之至少一员。3.如申请专利范围第1项之膜形成于基板上之方法,其中,使用一种触媒供步骤(B)中矽烷化合物的水解和缩合之用,且该触媒为硷性触媒。4.一种基板上之绝缘膜,其系藉由如申请专利范围第1项之膜形成于基板上之方法而获得。5.如申请专利范围第4项之基板上之绝缘膜,其系使用在一半导体且形成于其上者。 |
