| 主权项 |
1.一种半导体元件,其包含:一半导体晶粒,其具有一配置于一第一主要表面上之第一电极、及一配置于一第二主要表面上之第二电极;一电传导性片部,其具有一电性连接至该第一电极之第一主要表面;复数个热传导性结构,其自该片部的一第二主要表面延伸远离,该片部的第二主要表面与其第一主要表面呈现相对;及至少一个传导性柱,其在远离该片部的第一主要表面之一方向中自该片部的一边缘延伸。2.如申请专利范围第1项之半导体元件,其中藉由一层的传导性黏剂将该电传导性片部电性连接至该第一电极。3.如申请专利范围第2项之半导体元件,其中该传导性黏剂含有焊料。4.如申请专利范围第2项之半导体元件,其中该传导性黏剂含有传导性环氧树脂。5.如申请专利范围第1项之半导体元件,其中该等复数个热传导性结构及该至少一传导性柱与该电传导性片部成为一体藉以形成一单元式体部。6.如申请专利范围第5项之半导体元件,其中该单元式体部包含一热传导性材料。7.如申请专利范围第6项之半导体元件,其中该单元式体部系包含铝与金属基质聚合物的其中一者。8.如申请专利范围第1项之半导体元件,其进一步包含一种配置于该晶粒与该至少一传导性柱之间的绝缘填料。9.如申请专利范围第1项之半导体元件,其进一步包含在一远离该片部的第一主要表面之方向中自该片部的另一边缘延伸之至少另一传导性柱。10.一种具有用于消散所产生热量的鳍片之夹,其包含:一电传导性片部,其具有一用于黏附且电性连接至一半导体晶粒的一电极之第一主要表面、及一与该第一主要表面相对之第二主要表面;复数个鳍片,其连接至及延伸远离该电传导性片部的第二主要表面;及至少一传导性柱,其连接至该电传导性片部的一边缘并延伸远离该第一主要表面。11.如申请专利范围第10项之具有用于消散所产生热量的鳍片之夹,其中该等复数个鳍片及该至少一传导性柱系一体式连接至该电传导性片部,藉以形成一单元式体部。12.如申请专利范围第11项之具有用于消散所产生热量的鳍片之夹,其中该单元式体部由铝构成。13.如申请专利范围第11项之具有用于消散所产生热量的鳍片之夹,其中该单元式体部由一金属基质聚合物构成。14.如申请专利范围第10至13项中任一项之具有用于消散所产生热量的鳍片之夹,其进一步包含连接至该电传导性片部的另一边缘且延伸远离该片部的第一主要表面之至少另一传导性柱。图式简单说明:第1图为可根据本发明加以容置之一经分割的功率MOSFET的俯视图;第2图为第1图沿剖线2-2所取之剖视图;第3图为第1图经过处理以界定复数个分离的“可焊式"源极接触区域及一“可焊式"闸极区域之俯视图;第4图为第3图沿剖线4-4所取之剖视图;第5图系类似于一具有经修改的源极接触图案之晶粒的第3图;第6图系类似于另一大面积“可焊式"源极接触图案之第3及5图;第7图为另一接触拓朴构造(具有一角落闸极)之俯视图;第8图为第7图沿剖线8-8所取之剖视图;第9图为一可根据本发明修改之汲极夹的立体图;第10图为具有模锁之第9图的汲极夹之俯视图;第11图为第3及4图之晶粒的子组装件以及第9图的夹之仰视图;第12图为第11图沿剖线12-12所取之剖视图;第13图显示重叠注塑于一模托板中后之第11及12图的子组装件;第14图为第13图沿剖线14-14所取之剖视图;第15图为第13图沿剖线15-15所取之剖视图;第16图为可由本发明修改之一汲极夹的另一实施例之立体图;第17图为第16图的夹之俯视图;第18图为第16及17图的夹与第3及4图的一普通类型晶粒之组装件的仰视图;第19图为第18图沿剖线19-19所取之剖视图;第20图为一具有第7及8图的拓朴构造之一晶粒之杯形汲极夹的仰视图;第21图为第20图沿剖线21-21所取之剖视图;第22图显示分割前之MOSFET晶粒的一晶圆;第23图显示用于形成与图案化第22图的晶圆的源极表面上之一钝化层的处理步骤;第24图显示在第23图的钝化层顶上之金属化作用;第25图为根据本发明之新颖汲极夹的等角图;第26图为第25图的夹之俯视图;第27图为第26图的侧视图;第28图为本发明经修改的汲极夹施加至一晶粒与一支撑板板之分解立体图;第29图显示组装后之第25图的结构;第30图为第29图之正视图;第31图为第30图所示之元件的一部份之放大图;第32a及32b图显示根据一替代性实施例之一夹的侧视图及俯视图。 |
