发明名称 有机电激发光显示面板之ITO电极层之电化学蚀刻平坦化方法
摘要 本发明提供一种电化学蚀刻平坦化方法,系用来针对一有机电激发光元件之铟锡氧化物(ITO)电极层进行一电化学蚀刻平坦化方法,其包含将有机电激发光显示基板浸置于电化学蚀刻液中或喷洒电化学蚀刻液于该有机电激发光显示基板,其中该有机电激发光显示基板表面上具有 ITO电极或在ITO膜层上更包含已显影定义出的光阻线路图样;再供应电流使电流通过有机电激发光显示面板表面上之ITO电极;以及清洁有机电激发光显示面板表面上之ITO电极。
申请公布号 TW574723 申请公布日期 2004.02.01
申请号 TW089114149 申请日期 2000.07.14
申请人 铼宝科技股份有限公司 发明人 卢添荣;张毅
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人 吴冠赐 台北市信义区信义路四段四一五号十三楼之三;苏建太 台北市信义区信义路四段四一五号十三楼之三;杨庆隆 台北市信义区信义路四段四一五号十三楼之三
主权项 1.一种有机电激发光显示面板之ITO电极层之电化学蚀刻平坦化方法,包括:将有机电激发光显示基板浸置于电化学蚀刻液中或喷洒电化学蚀刻液于该有机电激发光显示基板,其中该有机电激发光显示基板表面上具有ITO电极或在ITO膜层上包含已显影定义出的光阻线路图样;供应电流使电流通过有机电激发光显示面板表面上之ITO电极;以及清洁有机电激发光显示面板表面上之ITO电极。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该电化学蚀刻液更包含醋酸酐、醋酸、甘油或苦酸之电化学稳定剂。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该ITO电极系于温度范围20-50℃之电化学蚀刻液中进行表面电化学蚀刻平坦化。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该接通电流之电流密度为8-16A/dm2。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该电化学蚀刻液包括HCl。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该电化学蚀刻液包括21%之FeCl3与12%之HCl。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该电化学蚀刻液包括48%之HBr。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该电化学蚀刻液包括HNO3与HCl。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该电化学蚀刻液包括85%之H3PO4。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中清洁该有机电激发光显示面板表面上之ITO电极之清洁液包括去离子水。图式简单说明:第1图系实施例1之实施本发明有机电激发光显示面板之ITO电极层之电化学蚀刻平坦化方法之装置方块示意图;第2图系第1图所示之有机电激发光显示面板之ITO电极层之电化学蚀刻平坦化装置之电化学蚀刻单元之方块示意图;以及第3图系本发明实施例1之有机电激发光显示面板之ITO电极层之电化学蚀刻平坦化装置之承载有机电激发光显示面板传输滚轮之横截面正视图,其中承接内缘滚轮系用以承接显示面板,限制外缘滚轮系用以固定显示面板于传输滚轮单元中之横向相对位置。
地址 新竹县竹北市仁义路六十五号