发明名称 可挠式基板之微型超音波换能器
摘要 一种可挠式基板之微型超音波换能器,其中包括:一基板,系由可挠性材料制成,其上、下设有第一表面及第二表面,其中该第一表面二侧设有支架,以形成可挠性之支撑结构;及一震荡膜,设有第一表面及第二表面,其中第二表面设于支架上;及复数个第一电极与第二电极,其中第一电极设于基板上,第二电极置于震荡膜上;藉上述组合,能在不增加成本的条件下,达成降低制程步骤,提升震荡膜变形与增加驱动/感测电极间有效感应面积等多重目标,降低阻抗与匹配层之影响,有利于感测灵敏度与效能提升。
申请公布号 TW575024 申请公布日期 2004.02.01
申请号 TW092210492 申请日期 2003.06.09
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 邓泽民;樊天柱;李国骧;张明暐;赖志敏;邱家麟
分类号 B81B3/00 主分类号 B81B3/00
代理机构 代理人
主权项 1.一种可挠式基板之微型超音波换能器,系由复数个微型超音波换能器单元所组成,其中微型超音波换能器单元包括:一基板,系由可挠性材料制成,其上、下设有第一表面及第二表面,其中该第一表面二侧设有支架,以形成支撑结构;及一震荡膜,设有第一表面及第二表面,其中第二表面设于支架上;及一电极置于震荡膜上,与基板连结于一电源上;藉上述组合,能在不增加成本的条件下,达成降低制程步骤,提升震荡膜变形与增加驱动/感测电极间有效感应面积等多重目标,降低阻抗与匹配层之影响,有利于感测灵敏度与效能提升。2.如申请专利范围第1项所述之可挠式基板之微型超音波换能器,其中基板之第一表面上设一凹槽。3.如申请专利范围第1项所述之可挠式基板之微型超音波换能器,其中基板由一个以上非单一材料所构成。4.如申请专利范围第1项所述之可挠式基板之微型超音波换能器,其中震荡膜由一个以上非单一材料所构成。5.如申请专利范围第1项所述之可挠式基板之微型超音波换能器,其中震荡膜随着基板构件做延伸设置。6.如申请专利范围第1项所述之可挠式基板之微型超音波换能器,其中第一电极每一导电构件系分别对应的置入该基板。7.如申请专利范围第1项所述之可挠式基板之微型超音波换能器,其中第一电极设于基板的第一表面与第二表面之间。8.如申请专利范围第1项所述之可挠式基板之微型超音波换能器,其中第二电极设于震荡膜的第一表面与第二表面之间。9.如申请专利范围第1项所述之可挠式基板之微型超音波换能器,其中支架上端设有一表面。10.如申请专利范围第9项所述之可挠式基板之微型超音波换能器,其中支架上端之表面上设有一震荡膜。11.如申请专利范围第10项所述之可挠式基板之微型超音波换能器,其中震荡膜之第二表面设于支架上端之表面上。12.如申请专利范围第1项所述之可挠式基板之微型超音波换能器,其中支架为一种可挠性材料。13.如申请专利范围第1项所述之可挠式基板之微型超音波换能器,其中基板可为一导电材料。14.如申请专利范围第1项所述之可挠式基板之微型超音波换能器,其中基板为非导电材料时,设置第一电极与震荡膜上之第二电极连结于一电源上。15.如申请专利范围第1项所述之可挠式基板之微型超音波换能器,其中基板与支架可为一体成型。16.如申请专利范围第14项所述之可挠式基板之微型超音波换能器,其中第一、二电极材料为金、银、铜、镍或铝等材料。17.如申请专利范围第1项所述之可挠式基板之微型超音波换能器,其中基板、支架及震荡膜之材料为矽胶、氮化矽、多晶矽、铁氟龙、树脂、塑胶、聚脂类、光阻或高分子材料等。18.如申请专利范围第1项所述之可挠式基板之微型超音波换能器,其中支架与基板为一可挠性材料。19.如申请专利范围第1项所述之可挠式基板之微型超音波换能器,其中支架与基板之材料不同,为一非可挠性材料。图式简单说明:图1系本创作微型超音波换能器之剖面构造示意图。图2系本创作微型超音波换能器之立体图。图3系本创作检测曲面之阻抗匹配示意图。图4系本创作曲面检测法向量音束之示意图。图5系习知超音波感测器反射讯号示意图。图6系习知超音波感测器检测曲面之阻抗匹配示意图。图7系习知超音波感测器曲面检测法向量音束之示意图。图8系习知微型超音波感测器之剖面构造示意图。
地址 新竹县竹东镇中兴路四段一九五号