| 主权项 |
1.一种薄膜形成方法,其特征为:在成膜室内部配置两端设有供电部与接地部的电感耦合型电极,输送AM调变后的高频功率至上述供电部以产生电浆,同时,在上述供电部与上述接地部之间,使产生有驻波,藉以调节高频的频率,并在面向上述电感耦合型电极而配置的基板上形成薄膜。2.如申请专利范围第1项之薄膜形成方法,其中上述电感耦合型电极系为棒状电极。3.如申请专利范围第1项之薄膜形成方法,其中在同一平面内配置多个上述电感耦合型电极。4.如申请专利范围第2项之薄膜形成方法,其中在同一平面内配置多个上述电感耦合型电极。5.一种薄膜形成方法,其特征为:两端具有供电部与接地部,在成膜室内部配置中央具有折返的形状的电感耦合型电极,输送AM调变后的高频功率至上述供电部以产生电浆,同时,在上述供电部与上述折返部之间,使产生有驻波,藉以调节高频的频率,且于面向上述电感耦合型电极而配置的基板上形成薄膜。6.如申请专利范围第5项之薄膜形成方法,其中在同一平面内平行地设置多个上述电感耦合型电极,并在邻接之供电部使输送至上述供电部的高频功率的相位呈现互为相反。7.如申请专利范围第1至6项中任一项之薄膜形成方法,其中上述AM调变系周期性地遮断高频功率的投入。8.如申请专利范围第1至6项中任一项之薄膜形成方法,其中在薄膜形成中,使上述AM调变的调变频率产生变化。9.如申请专利范围第7项之薄膜形成方法,其中在薄膜形成中,使上述AM调变的调变频率产生变化。10.如申请专利范围第1至6项中任一项之薄膜形成方法,其中上述薄膜为构成太阳电池之薄膜。11.一种薄膜形成装置,其特征为包括:成膜室(1),系配置两端设有供电部(9)与接地部(10)的棒状电感耦合型电极(2);高频电源(3),系输送高频功率至上述供电部(9);及波形产生器(4),系执行自上述高频电源(3)输出的高频功率的AM调变,并且,上述供电部(9)与接地部(10)的距离为上述高频的激励波长的一半的整数倍,输送AM调变后的高频功率至上述电感耦合型电极(2)以产生电浆,并在与上述电感耦合型电极(2)面向而配置的基板(7)上形成薄膜。12.如申请专利范围第11项之薄膜形成装置,其中在同一平面内配置多个上述电感耦合型电极。13.一种薄膜形成装置,其特征为包括:成膜室(1),系两端具有供电部(9)与接地部(10),且配置中央具有折返形状的电感耦合型电极(2);高频电源(3),系输送高频功率至上述供电部(9);及波形产生器(4),系执行自上述高频电源(3)输出的高频功率的AM调变,并且,上述供电部(9)与折返部(15)间的距离,系为上述高频的激励波长的一半的整数倍,输送AM调变后的高频功率至上述电感耦合型电极(2)以产生电浆,并在面向上述电感耦合型电极(2)而配置的基板(7)上形成薄膜。14.如申请专利范围第13项之薄膜形成装置,其中在同一平面内平行地设置多个上述电感耦合型电极,以及设置控制上述供电部所输送的高频功率的相位的机构,并在上述多个电感耦合型电极之邻接之供电部使高频的相位呈现互为相反。15.如申请专利范围第11至14项中任一项之薄膜形成装置,其中配置多层上述电感耦合型电极,并于每一电极层的两侧配置基板,而同时于多片基板上形成薄膜。图式简单说明:图1为显示本发明之薄膜形成装置的一例的模式图。图2为显示本发明之电感耦合型电极的一例的模式图。图3为显示本发明之高生产量薄膜形成装置的一例的模式图。图4(a)-(c)为显示AM调变后之高频的波形的概念图。图5为显示高频功率的AM调变可能实验装置的模式图。图6(a)-(c)为显示调变条件与膜厚分布之关系的曲线图。图7(a)-(c)为显示调变条件与膜厚分布之关系的曲线图。图8为显示本发明之薄膜形成装置之另一例的模式图。图9为显示本发明之高频功率之供给系之另一例的模式图。图10(a)-(e)为显示调变条件及高频功率的相位与膜厚分布之关系的曲线图。 |
