发明名称 供电子学应用的高–熔点聚醯胺组成物
摘要 本发明关于一种用来制备电的及电子的成分的聚醯胺组成物,这些成分可适用表面镶板技术的条件。特别是,此组成物显示出回流接合过程中对起泡的高度抗性。根据本发明之组成物包含了:(a)一种具有高于280℃之熔点的聚醯胺,(b)一种具有低于230℃之熔点的聚合物,(c)一种含卤素的化合物,(d)随意地含一种用于防焰性质的协同剂,(e)加强物质,( f)随意地含有其它添加剂。当(f)含有至少一种带有酸亚胺基团的化合物时可以得到特别好的起泡抗性。
申请公布号 TW574316 申请公布日期 2004.02.01
申请号 TW088103345 申请日期 1999.03.02
申请人 DSM股份有限公司 发明人 赫柏特 海文尼斯;威海慕 索尔;约翰尼斯 提森;罗伯特 李温道
分类号 C08L77/00 主分类号 C08L77/00
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种聚醯胺组成物,包含a.20-60重量%熔点至少约为280℃的聚醯胺,b.1-20重量%的熔点低于230℃的热塑性聚合物,c.5-30重量%的含卤素之有机化合物,此化合物在300℃下受热10分钟后会产生至多为200ppm的无机氯及至多为350ppm的无机溴,d.0-15重量%的一种能帮助(c)之耐燃活性的化合物,e.5-50重量%的无机增强剂,f.0-2重量%的其它添加剂,且其中(a)至(f)的总和至多100重量%。2.如申请专利范围第1项的聚醯胺组成物,其中含卤素之有机化合物(c)在300℃下受热10分钟后会产生至多为50ppm的无机氯。3.如申请专利范围第1项的聚醯胺组成物,其中该高熔点聚醯胺(a)系选自如下之群体:重覆的小单元位在衍生自脂族的,环脂族的或芳香族的二胺类及脂族的,环脂族的或芳香族的二羧酸的主链上重覆建构而成的聚醯胺,由内醯胺经环开口所得到的聚醯胺,前述之组合。4.如申请专利范围第3项的聚醯胺组成物,其中该高熔点聚醯胺(a)系选自如下之群体:脂族的均聚醯胺类脂族的一环脂族的共聚醯胺类脂族的-芳香族的共聚醯胺类。5.如申请专利范围第1至4项中之任一项的聚醯胺组成物,其中该高熔点聚醯胺之熔点系介于280至320℃之间。6.如申请专利范围第1至4项中之任一项的聚醯胺组成物,其中该聚合物(b)系分散于聚醯胺(a)中,聚合物(b)之颗粒中至少有90%其平均横切面小于3m。7.如申请专利范围第1至4项中之任一项的聚醯胺组成物,其中聚合物(b)系选自如下之群体:聚酯类,共聚酯类及聚醯胺类。8.如申请专利范围第7项之聚醯胺组成物,其中该聚醯胺(b)是一种脂族的聚醯胺,在此聚醯胺中之链上的脂族碳原子数对醯胺基团数的比例至少为6。9.如申请专利范围第1至4项中之任一项的聚醯胺组成物,其中该化合物(c)系选自由含卤素之聚合物所组成的群体。10.如申请专利范围第9项的聚醯胺组成物,其中该含卤素之化合物(c)是一含溴的苯乙烯聚合物。11.如申请专利范围第1至4项中之任一项的聚醯胺组成物,其中该化合物(d)系选自由无机化合物所组成的群体。12.如申请专利范围第11项的聚醯胺组成物,其中该化合物(d)是氧化锑或偏锑酸钠。13.如申请专利范围第1至4项中之任一项的聚醯胺组成物,其中至少有一种含酸亚胺基团的化合物是以(f)存在。14.如申请专利范围第13项之聚醯胺组成物,其中该含酸亚胺基团的化合物是苯乙烯马来醯亚胺共聚物。15.如申请专利范围第1至3项中任一项的聚醯胺组成物,其中该组成物含23-55wt%(a)。16.如申请专利范围第1至3项中任一项的聚醯胺组成物,其中该组成物包含8-25wt%(c)。17.如申请专利范围第1至3项中任一项的聚醯胺组成物,其中该组成物包含2-12wt%(d)。18.如申请专利范围第1至3项中任一项的聚醯胺组成物,其中该组成物包含10-45wt%(e)。19.如申请专利范围第1至3项中任一项的聚醯胺组成物,其中该组成物包含0-10wt%(f)。20.如申请专利范围第1至3项中任一项的聚醯胺组成物,该组成物被包含在电的或电子的成分中。图式简单说明:第1图和第2图各自代表在热空气烤箱和红外线辐射烤箱中之测试品的温度。
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