| 主权项 |
1.一种矽酮树脂,包含5至50莫耳%的(PhSiO(3-x)/2(OH)x)单元及50至95莫耳%的(HSiO(3-x)/2(OH)x)单元,其系以在树脂中含矽单元的总量为基础,其中Ph为苯基,x具有0.1或2的値。2.如申请专利范围第1项之矽酮树脂,其中在矽酮树脂中有25至50莫耳%的(PhSiO(3-x)/2(OH)x)单元及50至75莫耳%的(HSiO(3-x)/2(OH)x)单元。3.如申请专利范围第1或2项之矽酮树脂,其中在矽酮树脂中少于40莫耳%的单元包含Si-OH基团。4.一种溶液,包含:(Ⅰ)一种矽酮树脂,包含5至50莫耳%的(PhSiO(3-x)/2(OH)x)单元及50至95莫耳%的(HSiO(3-x)/2(OH)x)单元,其系以在树脂中含矽单元的总量为基础,其中Ph为苯基,并且x具有0.1或2的値;(Ⅱ)40至99.5莫耳%的溶剂,以(Ⅰ)及(Ⅱ)的重量为基础。5.如申请专利范围第4项之溶液,其中溶剂是选自醋酸丙二醇甲醚酯、环己酮、-内丁酮、甲基异丁基酮、甲基丙基酮、对称三甲苯、矽酮类。6.一种苯基化氧化物介电层,其具有临界表面自由能至少为30达因/公分。7.一种产生苯基化氧化物介电层的方法,包含:(Ⅰ)涂覆含5至50莫耳%的(PhSiO(3-x)/2 (OH)x)单元及50至95莫耳%的(HSiO(3-x)/2(OH)x)单元之矽酮树脂到基材上,其系以在树脂中含矽单元的总量为基础,其中Ph为苯基,并且x具有0.1或2的値,(Ⅱ)加热该经涂覆的基材,到温度范围100℃至450℃,以固化矽酮树脂。8.如申请专利范围第7项之方法,其中在矽酮树脂中有25至50莫耳%的(PhSiO(3-x)/2(OH)x)单元及50至75莫耳%的(HSiO(3-x)/2(OH)x)单元。9.如申请专利范围第7项之方法,其中在矽酮树脂中少于40莫耳%的单元包含Si-OH基团。10.一种包含介电物质的积体电路,其中该介电物质包含:(A)具有临界表面自由能至少为40达因/公分之至少一个有机介电层;及(B)具有临界表面自由能至少为30达因/公分的至少一个苯基化氧化物介电层。11.如申请专利范围第10项之积体电路,其中该苯基化氧化物介电层被涂覆到有机介电层上。12.如申请专利范围第10项之积体电路,其中该有机介电层被涂覆到苯基化氧化物介电层上。 |
