主权项 |
1.一种通式为(L)nM1M2之错合物,其中M1为稀土元素、过渡金属、镧系或锕系元素,M2为非稀土元素,L为有机错合物,而n为M1及M2的组合价态。2.一种通式为(L)nM1M2LP之错合物,其中LP为中性配位体,M1为稀土元素、过渡金属、镧系或锕系元素,M2为非稀土元素,L为有机错合物,而n为M1及M2的组合价态。3.如申请专利范围第1项之错合物,其中M1为Sm(III)、Eu(II)、Eu(III)、Tb(III)、Dy(III)、Yb(III)、Lu(III)、Gd(III)、U(III)、U(VI)O2.Tm(III)、Th(IV)、Ce(III)、Ce(IV)、Pr(III)、Pr(IV)、Nd(III)、Pm(III)、Dy(III)、Ho(III)或Er(III)。4.如申请专利范围第2项之错合物,其中M1为Sm(III)、Eu(II)、Eu(III)、Tb(III)、Dy(III)、Yb(III)、Lu(III)、Gd(III)、U(III)、U(VI)O2.Tm(III)、Th(IV)、Ce(III)、Ce(IV)、Pr(III)、Pr(IV)、Nd(III)、Pm(III)、Dy(III)、Ho(III)或Er(III)。5.如申请专利范围第1项之错合物,其中M2为锂、钠、钾、铷、铯、铍、镁、钙、锶、钡、铜、银、金、锌、镉、硼、铝、镓、铟、锗、锡、锑、铅及过渡金属之第一、二、三族金属,其选自锰、铁、钌、锇、钴、镍、钯、铂、镉、铬、钛、钒、锆、钽、钼、铑、铱、铌、钪、钇。6.如申请专利范围第4项之错合物,其中M2为锂、钠、钾、铷、铯、铍、镁、钙、锶、钡、铜、银、金、锌、镉、硼、铝、镓、铟、锗、锡、锑、铅及过渡金属之第一、二、三族金属,其选自锰、铁、钌、锇、钴、镍、钯、铂、镉、铬、钛、钒、锆、钽、钼、铑、铱、铌、钪、钇。7.如申请专利范围第1项之错合物,其中(L)具有下式其中R1.R2及R3可以相同或不同,并可选自于氢,烃基,经取代和未经取代的脂族基,经取代和未经取代的芳族、杂环和多环结构,氟碳化物,甲基,卤素,或苯硫基,且其中X为Se、S或O,而Y为氢,烃基,经取代和未经取代的芳族、杂环和多环结构,氟,氟碳化物,甲基,卤素,或苯硫基或。8.如申请专利范围第1项之错合物,其中基(L)为具有下式之相同或不同配位体其中X为O、S或Se,且R1,R2及R3系如上述。9.如申请专利范围第1项之错合物,其中不同基(LP)具有相同或不同的酸酯衍生物其中R为烃基、脂族、芳族或杂环羧基、芳氧基、羟基或烷氧基,或其中R系如前述或H或F或。10.如申请专利范围第1项之错合物,其中不同基(L)为相同或不同羧酸酯基其中R5系经取代或未经取代的芳族、多环或杂环聚啶基,R5为2-乙基己基,或椅型结构,或L系其中R1及R2如前述。11.如申请专利范围第1项之错合物,其中不同基(L)为其中R1及R2如前述。12.如申请专利范围第2项之错合物,其中(L)具有下式其中R1.R2及R3可以相同或不同,并可选自于氢,烃基,经取代和未经取代的脂族基,经取代和未经取代的芳族、杂环和多环结构,氟碳化物,甲基,卤素,或苯硫基;且其中X为Se、S或O,而Y为氢,烃基,经取代和未经取代的芳族、杂环和多环结构,氟,氟碳化物,甲基,卤素或苯硫基或。13.如申请专利范围第2项之错合物,其中基(L)为下式之相同或不同配位体其中X为O,S或Se,且R1,R2及R3系如前述。14.如申请专利范围第2项之错合物,其中不同基(L)为相同或不同酸酯衍生物其中R为烃基、脂族、芳族或杂环羧基、芳氧基、羟基或烷氧基,或其中R系如前述,或H或F或115.如申请专利范围第2项之错合物,其中不同基(L)为相同或不同羧酸酯基其中R5为经取代或未经取代芳族,多环或杂环聚啶基,R5为2-乙基己基,或椅型结构,所以L为2-乙醯基环己酸酯,或L可为其中R1及R2系如上述。16.如申请专利范围第1项之错合物,其中不同基(L)为其中R1及R2系如上述。17.如申请专利范围第2项之错合物,其中LP具有下述其中各Ph可为相同或不同且可为苯基(OPNP)或经取代的苯基、其它经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的杂环或多环基、经取代或未经取代的稠合芳基,其中取代基为选自卤素、氰基、胺基及经取代的胺基,R、R1.R2.R3和R4亦可形成经取代及未经取代的稠合芳族、杂环和多环结构,且可与单体共聚合,R、R1.R2.R3和R4亦可为不饱和伸烷基,如乙烯基或以下基-C-CH2=CH2-R其中R系如上述。18.如申请专利范围第2项之错合物,其中LP具有下式其中R1,R2及R3系如前述。19.如申请专利范围第2项之错合物,其中LP具有下式其中Ph系如上述。20.如申请专利范围第2项之错合物,其具有通式为EuZn(DBM)5(OPNP),EuA1(DBM)6OPNP或EuSc(DBM)5 OPNP,其中OPNP具有下式其中Ph为苯基或经取代苯基。图式简单说明:图1.2a、2b、3.4a-41.5a-5f、6a-6e、7a-7f、8a-8h及9显示可使用在本发明中之错合物之配位体的通式。 |