发明名称 导电薄膜用之合金靶材
摘要 本发明系有关一种导电薄膜电极用之合金靶材,系包括银(Ag)、铜(Cu)以及至少一种贵重金属选自由钯(Pd),金(Au)及铂(Pt)构成之组群;其中银含量为80至99.8原子百分比;铜含量为0.1至10原子百分比;该贵重金属含量为0.1至10原子百分比;且该合金靶材该合金之总原子百分比为100。
申请公布号 TW574383 申请公布日期 2004.02.01
申请号 TW091117110 申请日期 2002.07.31
申请人 铼宝科技股份有限公司;光洋应用材料科技股份有限公司 SOLAR APPLIED MATERIALS TECHNOLOGY CORPORATION 台南市西区西门路二段三五一号四楼 发明人 张毅;赵勤孝;黄添旺;陈虹桦
分类号 C22C5/06 主分类号 C22C5/06
代理机构 代理人 吴冠赐 台北市信义区信义路四段四一五号十三楼之三;苏建太 台北市信义区信义路四段四一五号十三楼之三;杨庆隆 台北市信义区信义路四段四一五号十三楼之三
主权项 1.一种有机电激发光显示装置导电薄膜电极用之合金靶材,系包括银(Ag)、铜(Cu)以及至少一种贵重金属选自由钯(Pd),金(Au)及铂(Pt)构成之组群;其中银含量为80至99.8原子百分比;铜含量为0.1至10原子百分比;该贵重金属含量为0.1至10原子百分比;且该合金靶材该合金之总原子百分比为100。2.如申请专利范围第1项所述之合金靶材,其中该贵重金属为钯(Pd)。3.如申请专利范围第1项所述之合金靶材,其中该贵重金属为金(Au)。4.如申请专利范围第1项所述之合金靶材,其中该贵重金属为铂(Pt)。5.如申请专利范围第1项所述之合金靶材,其更包含至少一抗腐蚀性金属,其中该抗腐蚀性金属为钛,铝,镍,钴或铬。6.如申请专利范围第1项所述之合金靶材,其中该抗腐蚀性金属为钛;且其钛含量为0.01至5原子百分比。7.如申请专利范围第1项所述之合金靶材,其中该抗腐蚀性金属为镍;且其镍含量为0.01至5原子百分比。8.如申请专利范围第1项所述之合金靶材,其中该抗腐蚀性金属为铝;且其铝含量为0.01至5原子百分比。9.如申请专利范围第1项所述之合金靶材,其中该抗腐蚀性金属为钴;且其钴含量为0.01至5原子百分比。10.如申请专利范围第1项所述之合金靶材,其中该抗腐蚀性金属为铬;且其铬含量为0.01至5原子百分比。11.如申请专利范围第1项所述之合金靶材,其系用于形成平面显示基板电极或导线之溅镀。12.一种有机电激发光显示装置导电薄膜电极用合金靶材之制造方法,系包含下述之步骤:(A)将银(Ag),铜(Cu)以及至少一种贵重金属之粉末组合物均匀研磨及混合后以电弧熔化产生母合金,其中银含量为80至99.8原子百分比;铜含量为0.1至10原子百分比;该贵重金属含量为0.1至10原子百分比;且该贵重金属为至少一种选自由钯(Pd),金(Au)及铂(Pt)构成之组群之金属;(B)将银与先前制成之母合金混合,置于坩锅中,进行真空熔炼,制成铸锭;以及(C)将该铸锭进行锻造、热滚压、热处理等热机加工,以形成该合金靶材。。13.如申请专利范围第11项所述之制造方法,其中步骤(A)之该金属母合金更包含至少一抗腐蚀性金属粉末,其中该抗腐蚀性金属为钛,铝,镍,钴或铬。14.如申请专利范围第13项所述之制造方法,其中步骤(A)之抗腐蚀性金属为钛;且该金属母合金中其钛含量为0.01至5原子百分比。15.如申请专利范围第12项所述之制造方法,其中步骤(A)之抗腐蚀性金属为镍;且该该金属母合金中其镍含量为0.01至5原子百分比。16.如申请专利范围第12项所述之制造方法,其中步骤(A)之抗腐蚀性金属为铝;且该该金属母合金中其铝含量为0.01至5原子百分比。17.如申请专利范围第12项所述之制造方法,其中步骤(A)之抗腐蚀性金属为钴;且该该金属母合金中其钴含量为0.01至5原子百分比。18.如申请专利范围第12项所述之制造方法,其中步骤(A)之抗腐蚀性金属为铬;且其铬含量为0.01至5原子百分比。图式简单说明:第1图系本发明有机电激发光显示装置导电薄膜电极合金靶材之溅镀实施时之示意图。
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