| 主权项 |
1.一种主动矩阵型液晶显示装置之制造方法,包含以下步骤:形成一薄膜电晶体在一透明基板上;形成一覆盖该薄膜电晶体的钝化膜在该透明基板上;对该钝化膜进行退火;形成一第一开口部在该钝化膜中,俾能延伸到该薄膜电晶体的一源极电极;及形成一经由该第一开口部而连接至该源极电极的像素电极在该钝化膜上。2.一种主动矩阵型液晶显示装置之制造方法,包含以下步骤:形成一薄膜电晶体在一透明基板上;形成一覆盖该薄膜电晶体的钝化膜在该透明基板上;形成一第一开口部在该钝化膜中,俾能延伸到该薄膜电晶体的一源极电极;形成一经由该第一开口部而连接至该源极电极的像素电极在该钝化膜上;及对该钝化膜进行退火。3.一种主动矩阵型液晶显示装置之制造方法,包含以下步骤:形成一薄膜电晶体在一透明基板上;形成一覆盖该薄膜电晶体的钝化膜在该透明基板上;对该钝化膜进行退火;形成一第一开口部在该钝化膜中,俾能延伸到该薄膜电晶体的一源极电极;形成一有机膜在该钝化膜上;形成一第二开口部在该有机膜中,俾能与该第一开口部对齐;及形成一经由该第一与第二开口部而连接至该源极电极的像素电极在该有机膜上。4.一种主动矩阵型液晶显示装置之制造方法,包含以下步骤:形成一薄膜电晶体在一透明基板上;形成一覆盖该薄膜电晶体的钝化膜在该透明基板上;形成一第一开口部在该钝化膜中,俾能延伸到该薄膜电晶体的一源极电极;对该钝化膜进行退火;形成一有机膜在该钝化膜上;形成一第二开口部在该有机膜中,俾能与该第一开口部对齐;及形成一经由该第一与第二开口部而连接至该源极电极的像素电极在该有机膜上。5.如申请专利范围第3或4项之主动矩阵型液晶显示装置之制造方法,更包含一氧化膜的去除步骤介于该第二开口部的形成步骤与该像素电极的形成步骤之间,而该氧化膜存在于该源极电极的一表面中并藉由该第二开口部而露出。6.一种主动矩阵型液晶显示装置之制造方法,包含以下步骤:形成一薄膜电晶体在一透明基板上;形成一覆盖该薄膜电晶体的钝化膜在该透明基板上;对该钝化膜进行退火;形成一有机膜在该钝化膜上;形成一第二开口部在该有机膜中,俾能与该薄膜电晶体的一源极电极对齐;形成一第一开口部在该钝化膜中,俾能延伸到该薄膜电晶体的该源极电极;及形成一经由该第一与第二开口部而连接至该源极电极的像素电极在该有机膜上。图式简单说明:图1为说明习知液晶显示装置之TFT基板构造的布局图。图2为习知液晶显示装置的横剖面图,其说明TFT基板与对向基板之间的位置性关系。图3A至图3C为TFT基板的横剖面图,其依处理步骤的顺序而说明习知TFT基板的制造方法。图4A及图4B亦为TFT基板的横剖面图,其依处理步骤的顺序而说明图3A至图3C的处理步骤之后的处理步骤。图5A至图5C为TFT基板的横剖面图,其依处理步骤的顺序而说明本发明之第一实施例的主动矩阵型液晶显示装置构造的制造方法。图6A及图6B亦为本发明之第一实施例的TFT基板构造的横剖面图,其依处理步骤的顺序而说明图5C之处理步骤之后的处理步骤。图7A及图7B为显示TFT性能的图形,其中横座标轴代表闸极电压及纵座标轴代表汲极电流。图8A至图8C为TFT基板的横剖面图,其依处理步骤的顺序而说明本发明之第二实施例的主动矩阵型液晶显示装置构造的制造方法。图9A及图9B亦为本发明之第二实施例的TFT基板构造的横剖面图,其依处理步骤的顺序而说明在图8C之处理步骤之后的处理步骤。 |
