发明名称 真空中涂覆基材之方法与装置
摘要 真空中涂覆沈积材料于基材之方法与装置,该材料源包含长纵向沈积放射构件,用以产生一长纵向材料沈积放射柱,涂覆基材表面而不增加基材及材料源涂覆距离。
申请公布号 TW574396 申请公布日期 2004.02.01
申请号 TW089122148 申请日期 2000.10.20
申请人 莱斯克库特公司 发明人 盖里 史密斯
分类号 C23C14/22 主分类号 C23C14/22
代理机构 代理人 蔡清福 台北市中正区忠孝东路一段一七六号九楼
主权项 1.一种沈积材料涂覆于一基材上的真空涂覆装置,包括:一真空槽;一位于该真空槽内之材料源,该材料源具有一沿纵向延伸的本体及一长纵向的释放构件,并形成一内部空穴、一可让流体通过此内部空穴之出口孔、一个与该出口孔相邻的一上端部与一基部;以及一与该沿纵向延伸的本体相邻的热源。2.如申请专利范围第1项所述的真空涂覆装置,更包含一基材,其具平行于该本体纵向轴的宽度;而当此宽度增加时,该基材一侧到该出口孔的涂覆距离将保持不变。3.如申请专利范围第1项所述的真空涂覆装置,更包含一基材,其宽度为平行于该本体轴纵向,其中该材料源之该本体之该长纵向释放构件的宽度等于该基材的宽度。4.如申请专利范围第1项所述的真空涂覆装置,更包含一基材,其宽度为平行于该本体轴纵向,其中该材料源之该本体之该长纵向释放构件的宽度小于该基材的宽度。5.如申请专利范围第1项所述的真空涂覆装置,更包含一项装填入该材料源之该本体之该内部空穴的沈积材料。6.如申请专利范围第5项所述的真空涂覆装置,该沈积材料是由有机基底化学品及有机化合物中选出。7.如申请专利范围第5项所述的真空涂覆装置,该沈积材料是由热源加以加热,并沿着该材料源之该本体之该长纵向释放构件,再经由该出口孔释放出去。8.如申请专利范围第7项所述的真空涂覆装置,其中该热源则为一在该本体之该上端部较该本体之该基部具有较多加热元件的加热线圈。9.如申请专利范围第1项所述的真空涂覆装置,更包含一程序控制装置可连接于该材料源之该本体。10.如申请专利范围第1项所述的真空涂覆装置,其中该出口孔可沿着该本体之该长纵向释放构件而连续延伸。11.如申请专利范围第1项所述的真空涂覆装置,更包含肋板,位于由该材料源之该本体的该内部空穴之内。12.如申请专利范围第1项所述的真空涂覆装置,其中该本体之形状为一开口槽,包括有两个朝纵向延伸的侧壁及一对端壁,其中纵向延伸的该侧壁及该端壁间形成该本体的该内部空穴。13.如申请专利范围第1项所述的真空涂覆装置,更包含第一导管,该第一导管形成内部空穴,以及可以让流体通过该内部空穴之第一导管,该本体为第二导管,该第二导管位于第一导管之该内部空穴。14.如申请专利范围第13项所述的真空涂覆装置,其中该第一导管形成之该第一出口孔可与该第二导管形成之该出口孔对正排列。15.如申请专利范围第13项所述的真空涂覆装置,其中该第一导管形成之该第一出口孔可与该第二导管形成之该出口孔以不对正的方式排列。16.一种沈积材料涂覆于基材上的真空涂覆方法,其包括下列步骤:将该材料源安装于该真空槽内,该材料源具有一沿纵向延伸的本体及一长纵向之释放构件,并形成一内部空穴、一可以让流体通过该内部空穴之出口孔、一个与该出口孔相邻的一上端部与一基部;将一基材置于该真空槽内对着该出口孔的位置,该出口孔由该材料源之该本体所形成;将沈积材料装填于由该材料源之该本体之该内部空穴内;对该真空槽抽取真空;加热该沈积材料,以一热源加热上述位于该材料源之该本体之该内部空穴内的沈积材料;其该热源可使该材料源该基部的温度低于该材料源之该上端部的温度,并于该材料源内部生成一垂直向的温度梯度;将已蒸发之沈积材料沿着该本体之长纵向释放构件释放出去;以及使该基材经该已蒸发之该沈积材料而移动。17.使用如申请专利范围第16项所述的材料源及真空槽以涂覆基材之方法,其中该基材可以一固定速度经该已蒸发之沈积材料而移动。18.一种沈积材料涂覆于基材上的材料源,该材料源包括:两个本体,该两个本体皆形成一内部空穴,以及至少有一可以让流体通过该内部空穴之出口孔,其中该两本体对齐一共同的纵轴而形成一长纵向的释放构件,且该个两本体所形成之各该出口孔以不对正的方式排列;以及一置于各该两本体附近并可沿着各该两本体延伸之热源。19.如申请专利范围第18项所述的材料源,其中该两本体为点式材料源坩锅。20.如申请专利范围第18项所述的材料源,其中该两本体为改良点式材料源坩锅。21.如申请专利范围第18项所述的材料源,更包含一制程控制器可连接于该材料源之该两个本体中的一个本体。22.如申请专利范围第18项所述的材料源,其中该两本体所形成之该内部空穴设计成可以接受沈积材料;该沈积材料由有机基底化学品及有机化合物中选出。图式简单说明:第一图为传统点式材料源坩锅之侧视图;第二图为第一图的传统点式材料源坩锅之侧视图,但将坩锅附近的基材加以放大;第三图为本发明较佳实施例之材料源剖面之透视图;第四图为第三图材料源的剖面之端视图;第五图为第三图与第四图材料源的剖面之侧视图;第六图为第三图至第五图所示释放流柱之上透视图,此释放流柱沿着材料源本体之长纵向释放构件而轴向延伸;第七图为第五图所示位于真空槽内两材料源之上视图;第八图为第五图至第七图所示位于真空槽内排列成偏移角度的四个材料源之侧视图;第九图为本发明第二实施例之多个材料源的上视图;第十图本发明第三实例之材料源透视图;第十一图为第一导管以及位于第一导管外表面之电阻加热丝之透视图;第十二图为第十图与第十一图之第一导管之剖面之端视图,第二导管位于第一导管内部;以及第十三图为本发明第三实例之材料源剖面之侧视图。
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