| 主权项 |
1.一种多晶矽层的制作方法,包括:提供一基材;于该基材上形成一阻障层;于该阻障层上形成一多孔材料层,其中该阻障层与该多孔材料层系构成一缓冲层;于该多孔材料层上形成一非晶矽层;以及进行一雷射退火制程,以形成一多晶矽层。2.如申请专利范围第1项所述之多晶矽层的制作方法,其中该阻障层的形成方法包括化学气相沈积。3.如申请专利范围第1项所述之多晶矽层的制作方法,其中该阻障层之材质包括氮化矽。4.如申请专利范围第1项所述之多晶矽层的制作方法,其中该多孔材料层的形成方法包括电子束沈积。5.如申请专利范围第1项所述之多晶矽层的制作方法,其中该多孔材料层之材质包括氧化矽。6.如申请专利范围第1项所述之多晶矽层的制作方法,其中该多孔材料层之材质包括氧化矽与氧化铝之混合物。7.如申请专利范围第6项所述之多晶矽层的制作方法,其中该多孔材料层内之氧化矽与氧化铝系以95:5之比例混合。8.如申请专利范围第1项所述之多晶矽层的制作方法,其中该多孔材料层之热传导系数低于0.014W/cm-K(摄氏20度)。9.如申请专利范围第1项所述之多晶矽层的制作方法,其中该雷射退火制程系为一准分子雷射退火制程。10.一种多晶矽层的制作方法,包括:提供一基材;于该基材上形成一阻障层;于该阻障层上形成一应力缓冲层;于该应力缓冲层上形成一多孔材料层,其中该多孔材料层之热传导系数低于该应力缓冲层之热传导系数,且该阻障层、该应力缓冲层以及该多孔材料层系构成一缓冲层;于该多孔材料层上形成一非晶矽层;以及进行一雷射退火制程,以形成一多晶矽层。11.如申请专利范围第10项所述之多晶矽层的制作方法,其中该阻障层的形成方法包括化学气相沈积。12.如申请专利范围第10项所述之多晶矽层的制作方法,其中该阻障层之材质包括氮化矽。13.如申请专利范围第10项所述之多晶矽层的制作方法,其中该应力缓冲层的形成方法包括化学气相沈积。14.如申请专利范围第10项所述之多晶矽层的制作方法,其中该应力缓冲层之材质包括氧化矽。15.如申请专利范围第10项所述之多晶矽层的制作方法,其中该多孔材料层的形成方法包括电子束沈积。16.如申请专利范围第10项所述之多晶矽层的制作方法,其中该多孔材料层之材质包括氧化矽。17.如申请专利范围第10项所述之多晶矽层的制作方法,其中该多孔材料层之材质包括氧化矽与氧化铝之混合物。18.如申请专利范围第17项所述之多晶矽层的制作方法,其中该多孔材料层内之氧化矽与氧化铝系以95:5之比例混合。19.如申请专利范围第10项所述之多晶矽层的制作方法,其中该多孔材料层之热传导系数低于0.014W/cm-K(摄氏20度)。20.如申请专利范围第10项所述之多晶矽层的制作方法,其中该雷射退火制程系为一准分子雷射退火制程。图式简单说明:第1A图至第1C图绘示为习知多晶矽层的制作流程示意图;第2A图至第2C图绘示为依照本发明第一实施例多晶矽层的制作流程示意图;第3图绘示为雷射能量与晶体尺寸的关系图;以及第4A图至第4C图绘示为依照本发明第二实施例多晶矽层的制作流程示意图。 |
