| 主权项 |
1.一种用以在半导体装置上制造遮档层之微影方法,将一薄膜层,特别为四氮化三矽(Si3N4)层(15),导引入半导体装置之凹处(9),在凹处(9)一侧为了制造光罩之目的而将该层(15)移除,其中将离子束(S)以一角度()倾斜导入凹处(9),而造成只照射凹处(9)部分区域,并在照射区移除该层(15)而得到遮档层。2.如申请专利范围第1项之方法,其中在一晶圆上半导体装置之全部凹处(9)皆具有一致性几何图案。3.如申请专利范围第1或第2项之方法,其中沈积一厚度约为5-10奈米之Si3N4层(15)作为薄遮档层,该遮档层将以离子束(S)定图案。4.如申请专利范围第1或第2项之方法,其中由一反应离子束蚀刻(RIBE)源极产生离子束(S)。5.一种离子束装置,用以半导体装置中一凹处(9)一侧移除一特别为Si3N4层(15)之薄膜遮档层,其中将离子束装置之离子束(S)设定在偏离凹处(9)法线之角度()。图式简单说明:图1a-f根据本发明第一实例,以侧面图说明藉由离子束导向的方式而形成单侧埋藏层;及图2a-f根据本发明第二实例,以侧面图说明藉由离子束导向的方式而形成单侧埋藏层;图3a-b根据本发明第二实例,说明照射孔底部放大的正面图;及图4a-g根据本发明第三实例,以侧面图说明藉由离子束导向的方式而形成单侧埋藏层;及图5以简化基本描述说明根据本发明所使用的装置。 |
