| 主权项 |
1.一种于基材上产生钻石状碳膜之方法,其包括以下步骤:使基材暴露于烃气体环境中;及在高离子流束及经控制低能量离子碰击条件下,于该环境中产生电子密度大于约51010/cm3及被覆厚度小于1.7毫米之电浆,该环境包含一离子电流大于3mA/cm2以及一施加至基材之偏压,其范围在-200到-500伏特。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中该环境包含一种气体,选自包括C4H10,CH4,C2H2,C6H6,C2H6,与C3H8。3.根据申请专利范围第1或2项之方法,其中该基材为金属表面。4.根据申请专利范围第1或2项之方法,其中该基材为具有表面层之金属物质,该表面层包含一种材料,选自包括矽,碳化矽,钒,钽,镍,铌,钼,及其合金。5.根据前述申请专利范围第1或2项之方法,其中该电浆系以感应偶合产生。6.根据前述申请专利范围第1或2项之方法,其中该偏压为脉动式。7.一种可由申请专利范围第1,2,3,4,5或6项的方法获得之制造之物件,包含:具表面之基材,及在该表面上之钻石状碳膜,其中该膜具有硬度大于20GPa,而且没有任何直径在300A或以上可辨别粒子可由放大率为50,000X之场发射扫描式电子显微镜观察得到。8.根据申请专利范围第7项之物件,其中该基材为具有表面层之金属物质,该表面层包含一种材料,选自包括含由矽,碳化矽,钒,钽,镍,铌,钼,及其合金。9.根据申请专利范围第7或8项之物件,其中该物件为刮胡刀片。10.根据申请专利范围第7或8项之物件,其中该表面为刮胡刀片之边缘。11.根据申请专利范围第7或8项之物件,其中该物件为书写仪器之零组件。12.根据申请专利范围第7或8项之物件,其中该物件为笔尖。13.根据申请专利范围第7或8项之物件,其中该物件为笔珠座。14.根据申请专利范围第7或8项之物件,其中该物件为针尖。15.根据申请专利范围第7或8项之物件,其中该物件为切削锋缘。16.根据申请专利范围第7或8项之物件,其中该切削锋缘系位于切削点上。图式简单说明:图1为可用于本发明操作之一种电感偶合电浆化学蒸气沉积反应器之剖面图;图2为以离子电流/RF电感能量,平均基材偏差电压与被覆厚度等等说明本发明之绘图;图3说明根据本发明产生膜硬度,作为RF电感能量及平均基材偏差电压函数之绘图;图4说明依本发明产生膜硬度,作为平均基材偏差函数之作图;图5为传统电容偶合电浆强化化学蒸气沉积作用,对刮胡刀片沉积出钻石状碳膜的剖面显微照相(取50,000 X倍率);图6为本发明示范操作所沉积于刮胡刀片之钻石状膜的剖面显微照相(取50,000X倍率);图7为本发明另一示范操作所沉积于刮胡刀片之钻石状膜的剖面显微照相(取50,000X倍率);图8为本发明另一示范操作所沉积于刮胡刀片之钻石状膜的剖面显微照相(取50,000X倍率);图9为本发明另一示范操作所沉积于刮胡刀片之钻石状膜的剖面显微照相(取50,000X倍率);图10为传统电容偶合电浆化学蒸气沉积作用对刮胡刀片沉积出钻石状膜的升位透视图(取50,000X倍率);图11为传统电容偶合电浆化学蒸气沉积作用对刮胡刀片沉积出钻石状膜剖面显微照相(取50,000X倍率);图12为根据本发明沉积于刮胡刀片钻石状膜之升位透视显微照相(取50,000X倍率);图13为根据本发明沉积于刮胡刀片钻石状膜之剖面显微照相(取50,000 X倍率);图14说明本发明沉积速率作为RF电感能量函数之绘图;图15A为说明本发明另一具体实例之绘图;图15B为说明图15A具体实例之脤动式RF偏差范例绘图;图16说明在与连续波偏差膜比较下,本发明脤动式偏差膜硬度对内膜应力关系的作图;及图17为本发明操作方法流程之一例的流程图。 |
