| 主权项 |
1.一种两性阻剂微影制程,包含下列步骤:提供一包含一两性阻剂层之元件,该两性阻剂层依曝光剂量之不同具有正型阻剂及负型阻剂之特性;及利用电子束对该两性阻剂层进行曝光,使该两性阻剂层包含不同曝光剂量之一第一区域及一第二区域,该第一区域之曝光剂量介于该正型阻剂及负型阻剂的门槛剂量之间,而该第二区域之曝光剂量大于该负型阻剂的门槛剂量。2.如申请专利范围第1项之两性阻剂微影制程,其中该第一区域的曝光剂量系介于3至225C/cm2。3.如申请专利范围第1项之两性阻剂微影制程,其中该第二区域的曝光剂量大于220C/cm2。4.如申请专利范围第1项之两性阻剂微影制程,其中该第一区域的对比率系介于8至10之间。5.如申请专利范围第1项之两性阻剂微影制程,其中该第二区域的对比率系介于4至6之间。6.如申请专利范围第1项之两性阻剂微影制程,其中该两性阻剂层系由ArF光阻组成。7.如申请专利范围第1项之两性阻剂微影制程,其中该元件系建构于一矽底材。8.如申请专利范围第1项之两性阻剂微影制程,其中该元件系建构于一氧化铬底材。9.如申请专利范围第1项之两性阻剂微影制程,其中该元件系建构于一铬底材。10.如申请专利范围第1项之两性阻剂微影制程,另包含一软烤步骤,且该软烤温度之增加将减少该第一区域中所形成图案之特征尺寸及增加该第二区域中所形成图案的特征尺寸。11.如申请专利范围第1项之两性阻剂微影制程,另包含一曝后烤步骤,且该曝后烤温度之增加将增加该第一区域及第二区域中所形成图案之特征尺寸。12.如申请专利范围第1项之两性阻剂微影制程,其中该第一区域及第二区域所形成图案之特征尺寸与曝光剂量成线性关系。13.如申请专利范围第1项之两性阻剂微影制程,其中热氧化物对第一区域之两性阻剂层的选择比大于7。14.如申请专利范围第1项之两性阻剂微影制程,其中热氧化物对第二区域之两性阻剂层的选择比大于5。15.如申请专利范围第1项之两性阻剂微影制程,其中该两性阻剂层另包含一第三区域,该第三区域的曝光剂量介于该正型阻剂及负型阻剂的门槛剂量之间,且该第二区域包含于该第三区域中。16.一种两性阻剂微影制程,包含下列步骤:提供一元件,其包含一基材及一两性阻剂层,该两性阻剂层依曝光剂量之不同具有正型阻剂及负型阻剂之特性;利用电子束对该两性阻剂层中之一第一区域及一第二区域以第一剂量曝光,该剂量介于该正型阻剂及负型阻剂之门槛剂量之间;利用电子束对该第二区域中之一第三区域以第二剂量曝光,该第一剂量及第二剂量的总和大于该负型阻剂之门槛剂量;及对该两性阻剂层进行显影,用以去除该第一区域之两性阻剂层,而该第三区域之两性阻剂层形成一罩幕。17.一种两性阻剂微影制程,包含下列步骤:提供一元件,其包含一基材及一两性阻剂层,该两性阻剂层依曝光剂量之不同具有正型阻剂及负型阻剂之特性;利用电子束对该两性阻剂层以第一剂量曝光,该剂量介于该正型阻剂及负型阻剂之门槛剂量之间;利用电子束对该两性阻剂层中之一区域以第二剂量曝光,该第一剂量及第二剂量的总和大于该负型阻剂之门槛剂量;及对该两性阻剂层进行显影,使该区域之两性阻剂层形成一罩幕。18.一种两性阻剂微影制程,包含下列步骤:提供一元件,其包含一基材及一两性阻剂层,该两性阻剂层依曝光剂量之不同具有正型阻剂及负型阻剂之特性;利用电子束对该两性阻剂层之一区域以一剂量曝光,该剂量介于该正型阻剂及负型阻剂之门槛剂量之间;及对该两性阻剂进行显影,用以去除该区域之两性阻剂层。图式简单说明:图1显示本发明之两性阻剂微影制程的曝光剂量与两性阻剂厚度的关系;图2(a)至图2(c)显示本发明之正型阻剂微影制程;图3(a)至图3(d)显示本发明之负型阻剂微影制程;图4(a)至图4(d)显示本发明之正、负型阻剂微影制程;图5(a)及图5(b)分别显示本发明之正型及负型阻剂之软烤及PEB温度与图案特征尺寸的关系;图6(a)及图6(b)分别显示本发明之正型及负型阻剂之曝光剂量与图案特征尺寸的关系;及图7(a)及图7(b)分别显示本发明之正型及负型阻剂之蚀刻率及其选择比。 |
