| 主权项 |
1.一种主动矩阵定址反射LCD(液晶显示器),包含:一透明的第一基板(74);一第二基板(56);一下绝缘膜(60),形成于该第二基板上;复数个开关元件(84),分别设于每一像素;一绝缘层(66,68),具有一不规则构造的表面;以及一反射膜(70),形成于该绝缘膜上,且具有一取决于该绝缘膜之不规则表面之不规则构造的表面;以及一液晶层,设于该第一基板与该反射膜间,其特征为:一上电极(62),设于每一像素且位于一设有该反射膜的区域中,该上电极系电连接至该开关元件之一源极电极;以及一下电极(58),设于该第二基板与该下绝缘膜间,该下电极与该上电极形成一储存电容。2.如申请专利范围第1项之主动矩阵定址反射LCD,其中该绝缘膜之不规则构造的表面包含复数个实质上线形的突出部,以及由线形突出部所环绕的复数个凹槽。3.如申请专利范围第1或第2项之主动矩阵定址反射LCD,其中一给定的像素之开关元件系一薄膜电晶体,该薄膜电晶体之闸极电极耦合至一闸极线,且该下绝缘层功用如同一间极绝缘层,且其中该下电极耦合至一闸极线,该闸极线系分配至相邻于该给定的像素之一像素。4.如申请专利范围第1项之主动矩阵定址反射LCD,其中该下绝缘膜之表面上于一设有该反射膜的区域中不具有阶梯。5.如申请专利范围第1项之主动矩阵定址反射LCD,其中该绝缘层包含:一第一层,由光刻术图案化以使其表面具有不规则构造;以及一第二层,形成于该第一层上,以模仿该第一层之不规则表面。6.如申请专利范围第1项之主动矩阵定址反射LCD,其中该反射膜电系经由设于该绝缘层中的一接触孔耦合至该上电极或该源极电极。7.如申请专利范围第1项之主动矩阵定址反射LCD,其中该源极电极电连接至该反射膜。8.一种主动矩阵定址反射LCD之制造方法,包含下列步骤:(a)形成一反射层(62)于一基板(56)上;(b)形成一绝缘层(66)于该反射层上,随后藉由曝照图案化该绝缘层以提供不规则于该绝缘层之表面上;以及(c)形成一反射膜(70)于该绝缘膜上,其中该绝缘层系藉着由该反射层所反射的光之协助而图案化。9.如申请专利范围第8项之主动矩阵定址反射LCD之制造方法,其中该反射层(62)系形成为使得其表面平坦化。10.如申请专利范围第8或第9项之主动矩阵定址反射LCD之制造方法,其中该反射层(62)系用作为建立于该反射式LCD之每一像素中之一储存电容之两电极中之一个。11.如申请专利范围第8项之主动矩阵定址反射LCD之制造方法,其中步骤(b)包含:藉由曝照图案化一第一光阻层以形成一预定的不规则性于该第一光阻层之一表面上;以及形成一第二光阻层于该图案化的第一光阻层上,藉以形成不规则于该第二光阻层之一表面上。12.如申请专利范围第8项之主动矩阵定址反射LCD之制造方法,其中步骤(b)包含:于低强度的曝照光下曝照一光阻层,以形成一预定的不规则性于该光阻层上;以及于高强度的曝照光下曝照该光阻层,以形成一接触孔。图式简单说明:图1系依据习知技术之大约一像素面积之示意剖面图;图2A至2J系显示制造图1之下基板之制程步骤;图3系依据本发明实施例之大约一像素面积之示意剖面图;图4A与4B系显示图3之大约一像素面积之平面图;图5A系显示依据本发明实施例形成于平面显示面积中的复数个不平坦图案之示意图;图5B系放大显示图5A之一图案之示意图;图6系沿着穿过实施本发明的薄膜电晶体之剖面线的大约一像素面积之示意剖面图;图7A至7I系显示依据本发明实施例之制造下基板之制程步骤;图8A至8C系显示图3至7I中所示的实施例之修改;图9系显示图3至7I中所示的实施例之另一修改之示意图;图10A至10F系显示依据本发明制造修改的下基板之制程步骤;图11A与11B系显示参照图3至7I所述的较佳实施例之另一修改;以及图12A与12B系显示依据本发明之LCD之等放电路。 |
