| 主权项 |
1.一种用于制造电导图样之材料,该材料包含载体及曝光可区别元件,其特征在于:该曝光可区别元件含导电率加强了的最外层,其有多元阴离子及经取代或未经取代的吩聚合物或共聚物;且其中该最外层含单重氮盐,其在曝光下能减小该最外层的曝光部份相对于该最外层的非曝光部份之导电率。2.一种用于制造电导图样之材料,该材料包含载体及曝光可区别元件,其特征在于该曝光可区别元件包含导电率经加强之最外层,其含有多元阴离子及经取代或未经取代之吩聚合物或共聚物,以及续接该最外层之第二层;及其中该最外层及/或该第二层含有单重氮盐,其在曝光下能减小该最外层之曝光部分相对于该最外层未曝光部分之导电率。3.一种用于制造电导图样之材料,该材料包含载体及曝光可区别元件,其特征在于:该曝光可区别元件含表面电阻小于106欧姆/平方之最外层,其有多元阴离子及经取代或未经取代的吩聚合物或共聚物;且其中该最外层含单重氮盐,其在曝光下能减小该最外层的曝光部份相对于该最外层的非曝光部份之导电率。4.一种用于制造电导图样之材料,该材料包含载体及曝光可区别元件,其特征在于该曝光可区别元件包含电阻小于106欧姆/平方之最外层,其含有多元阴离子及经取代或未经取代之吩聚合物或共聚物,以及续接该最外层之第二层;及其中该最外层及/或该第二层含有单重氮盐,其在曝光下能减小该最外层之曝光部分相对于该最外层未曝光部分之导电率。5.依据申请专利范围第1至4项中任一项之材料,其中该经取代或未经取代的吩聚合物对应于下式:其中n大于1,且R1及R2各独立代表氢、经取代之C1-4烷基或未经取代之C1-4烷基或一起表示经取代之C1-4伸烷基、视情况经取代之C1-4伸烷基、经取代之伸环烷基或未经取代之伸环烷基。6.依据申请专利范围第1至4项任一项之材料,其中该经取代或未经取代的吩聚合物对应于下式:式中n大于1,且R1及R2或共同表示伸乙基、亚甲基、经烷基取代之亚甲基、经C1-12烷基取代之伸乙基或经苯基取代的伸乙基、1,3-伸丙基,或者1,2-伸环己基。7.依据申请专利范围第1至4项中任一项之材料,其中该多元阴离子为聚(苯乙烯磺酸盐)。8.依据申请专利范围第1至4项中任一项之材料,其中该最外层进一步含胶合剂。9.依据申请专利范围第1至4项中任一项之材料,其中该单重氮盐,在曝光下能减小该最外层的曝光部份相对于该最外层的非曝光部份之导电率,为单芳基重氮磺酸盐。10.依据申请专利范围第9项之材料,其中该单芳基重氮磺酸盐为11.依据申请专利范围第9项之材料,其中该单芳基重氮磺酸盐为12一种在载体上制造电导图样之方法,其包含步骤:-提供依据申请专利范围第1至4项中任一项之用于制造电导图样之材料;以及-将该材料做影像方式曝光,从而减小曝光区面相对于非曝光区面之导电率,视情况可用显影剂。 |
