| 摘要 |
本发明提供的一种APD检波器结构10包括一其上已依已知方式淀积有二氧化矽绝缘层14的p－型矽柄晶圆12。于制造期间系藉由知的光刻技术及蚀刻法穿透该绝缘层14形成一开口16，并在打开视窗16之后将一环状p＋型基板接触环18植入于该柄晶圆12内。该APD本身系藉由植入一p型区20及一n＋型区22而形成的。在施行各种植入步骤之后，涂覆一金属层并藉由施行适合的光刻及蚀刻步骤形成环状金属接点，这类接点包括一构成负极端子且连接于该p＋型基板接触环18上的环状接点26、一构成正极端子且连接于该APD之n＋型区22上的环状金属接点28以及连接于该相关CMOS读出电路之一个或更多个CMOSFET装置之源极和汲极上的源极30和汲极32(第1图中未标示)，其中系将该相关CMOS读出电路制造于该绝缘层14顶部所形成的矽层34内。这种配置克服了组合在非常高的反向偏压(15到30伏特)下操作之APD与在低压(5伏特)下操作之MOS电路的问题，且这种配置必须尽可能防止高反向偏影响相邻CMOS电晶体的操作。 |
