发射电磁辐射所用之半导体元件之制造方法

摘要

根据本发明而提供一种发射电磁辐射(尤其是光线)所用之半导体元件，其具有以下之特征：活性层用于产生辐射，p－接触，其与活性层电性连接，n－接触，其与活性层电性连接，以及电流限制结构以界定电流路径，其中此电流限制结构设置于n－接触与活性层之间。