半导体装置之制造方法

摘要

本发明之半导体装置的制造方法为关于对闸极电极以自行整合方式形成源极线之自动对准源极构造之制造程序中的元件分离膜（5）的蚀刻制程中，同时将含有在闸极电极上形成电极接触部（29）之位于电晶体的闸极电极上之图案制造用绝缘膜（12）的电极接触孔形成预定领域的部分选择性的除去以露出闸极电极上的一部分。由此可不必增加制造程序即可将基板接触孔及电极接触孔两者同时开孔，并可减少所使用遮罩的片数。