| 主权项 |
1.一种金属膜之制造方法,包括: 第一步骤:使用真空薄膜成形设备在支撑元件上形 成由无电镀催化剂材料制成的第一金属膜,该第一 步骤系在第一金属膜生长为均匀连续膜之前完成, 其中该第一金属膜在1105nm2的任何区域内为岛屿 结构或网路结构;及 第二步骤:利用第一金属膜作催化剂进行无电镀的 同时,藉由金属形成膜而形成第二金属膜。2.一种 金属膜之制造方法,包括: 第一步骤:利用真空薄膜成形设备在支撑元件上形 成由无电镀晶种物质制成的第一金属膜,该第一步 骤系在第一金属膜生长为均匀连续膜之前完成,其 中该第一金属膜在1105nm2的任何区域内为岛屿结 构或网路结构; 第二步骤:由于对第一金属膜的至少表面发生离子 置换反应而在浸渍式镀膜过程中藉黏合形成由无 电镀催化剂材料制成的第二金属膜;及 第三步骤:利用第二金属膜作催化剂进行无电镀的 同时,藉由金属形成膜而制成第三金属膜。3.如申 请专利范围第1项之金属膜之制造方法,其中第一 金属膜包括至少一种选自钯、银、金、铂、镍、 钴、铑和铱的金属。4.如申请专利范围第1项之金 属膜之制造方法,其中第一金属膜含有选自厚度小 于10nm的钯膜、厚度小于20nm的银膜和厚度小于20nm 的金膜。5.如申请专利范围第1或2项之金属膜之制 造方法,其中应用无电镀同时形成的金属膜含有至 少一种选自镍、铜、银、钯、铂、钴和铑的金属 。6.如申请专利范围第2项之金属膜之制造方法,其 中第一金属膜含有至少一种选自银、铝、镉、钴 、铜、铬、铁、镓、铟、锰、镍、铅、锡和锌的 金属,及第二金属膜含有至少一种选自钯、铂、金 、银、铑和铱的金属,该等金属为可替代包含在第 一金属膜中的金属的金属。7.如申请专利范围第2 项之金属膜之制造方法,其中第一金属膜含有一种 选自厚度小于30nm的铜膜、厚度小于20nm的银膜和 厚度小于10nm的铁膜的金属膜。8.如申请专利范围 第1或2项之金属膜之制造方法,其中第一步骤中,第 一金属膜系藉掩模形成图案者。9.如申请专利范 围第1或2项之金属膜之制造方法,其中使用其上已 形成第一金属膜的表面上进行脱模处理过之支撑 元件作为支撑元件。10.一种如申请专利范围第1或 2项之制造方法所制造的金属膜。11.一种叠层陶瓷 电子元件之制造方法,包括 利用真空薄膜成形设备在支撑元件上形成由无电 镀催化剂物质制成的第一金属膜,该成形系在第一 金属膜生长为均匀连续膜之前完成,其中该第一金 属膜在1105nm2的任何区域内为岛屿结构或网路结 构; 利用第一金属膜作催化剂进行无电镀同时藉由金 属形成膜而形成第二金属膜; 藉由在支撑元件上形成陶瓷上被覆盖所述金属膜 的方法,形成包括金属膜和陶瓷生板的复合体; 藉叠层多个复合体而制造粗胚叠层体; 自各复合体剥离支撑元件;及 烘焙该粗胚叠层体。12.一种叠层陶瓷电子元件之 制造方法,包括: 利用真空薄膜成形设备在支撑元件上形成由无电 镀催化剂物质制成的第一金属膜,该成形系在第一 金属膜生长为均匀连续膜之前完成,其中该第一金 属膜在1105nm2的任何区域内为岛屿结构或网路结 构; 利用第一金属膜作催化剂进行无电镀同时藉由金 属形成膜而形成第二金属膜; 制造陶瓷生板; 藉由将金属膜从支撑元件上转移到陶瓷生板的方 法制造包括金属膜和陶瓷生板的复合体; 藉叠层多个复合体制造粗胚叠层体;及 烘焙该粗胚叠层体。13.一种叠层陶瓷电子元件之 制造方法,包括: 利用真空薄膜成形设备在支撑元件上形成由无电 镀晶种材料制成的第一金属膜,该第一步骤系在第 一金属膜生长为均匀连续膜之前完成,其中该第一 金属膜在1105nm2的任何区域内为岛屿结构或网路 结构; 由于与第一金属膜至少表面的离子置换反应而在 采用浸渍式镀膜的过程中藉由黏合形成由无电镀 催化剂材料制成的第二金属膜; 用第二种金属膜作为催化剂在采取无电镀同时藉 由金属成膜形成第三金属膜; 藉由将陶瓷上被形成在支撑元件上以覆盖金属膜 而制造包括金属膜和陶瓷生板的复合体; 藉由叠层多个复合体而制造粗胚叠层体; 自各复合体剥离支撑元件;及 烘焙该粗胚叠层体。14.一种叠层陶瓷电子元件之 制造方法,包括: 利用真空薄膜成形设备在支撑元件上形成由无电 镀催化剂晶种物质制成的第一金属膜,该第一步骤 系在第一金属膜生长为均匀连续膜之前完成,其中 该第一金属膜在1105nm2的任何区域内为岛屿结构 或网路结构; 由于对第一金属膜的至少表面的离子置换反应而 在采用浸渍式镀膜的过程中藉由黏合形成由无电 镀催化剂材料制成的第二金属膜; 使用第二种金属膜作为催化剂在采取无电镀同时 藉由金属成膜形成第三金属膜; 制造陶瓷生板; 藉由将金属膜从支撑元件转移到陶瓷生板上的方 法制造包括金属膜和陶瓷生板的复合体; 藉叠层多个复合体制造粗胚叠层体;及 烘焙该粗胚叠层体。15.一种由如申请专利范围第 11.12.13或14项之制造方法所制造的叠层陶瓷电子元 件。图式简单说明: 图1A和1B系说明本发明金属膜制造方法具体例的剖 视图,显示包含在该制造方法中的典型步骤; 图2为说明图1A中所示的第一金属膜2形成条件的进 一步放大剖视图。 图3A至3C为说明本发明的叠层陶瓷电子元件的制造 方法第一具体例剖视图,及显示包含于该制造方法 中的典型步骤; 图4A至4C系说明本发明的叠层陶瓷电子元件的制造 方法第二具体例的剖视图,并显示包含在该制造方 法中的典型步骤。 图5系实验1中制造的实施例1第一金属膜的电子显 微照片。 |
