| 主权项 |
1.一种以化学机械研磨(CMP)含有金属表面的组合物 ,该组合物具有在52℃时静态蚀刻速率不大于每分 钟200且该组合物至少包含: 一或多种螯合物试剂,其中至少一螯合物试剂具有 至少一胺或氨基化合物群集; 一或多种氧化剂,其中至少一氧化剂包含过氧化氢 ,硝酸铁或碘酸盐(iodate); 一或多种抗腐蚀剂,其中至少一抗腐蚀剂包含至少 一咯(azole)群集; 一或多种酸包含至少一无机酸或有机酸;及 去离子水,其中该组合物不具研磨料。2.如申请专 利范围第1项所述之组合物,其中上述之金属为铜( Cu)或铜合金。3.如申请专利范围第2项所述之组合 物,其中之pH値3.0到10.0。4.如申请专利范围第3项所 述之组合物,至少包含: 0.2到3.0%重量百分比之一或多种螯合物试剂; 0.5到8.0%重量百分比之一或多种氧化剂; 0.02到1.0%重量百分比之一或多种抗腐蚀剂; 一数量之酸足以达到pH値3.0到10.0;及 剩余的去离子水。5.如申请专利范围第1项所述之 组合物,至少包含: 作为螯合物试剂之乙撑二胺四乙酸( ethylenediaminetetraacetic acid),乙撑二胺(ethylenediamine) 或甲基甲醯胺(methylformamide); 作为抗腐蚀剂之苯并三唑(benzotriazole),苯并唑( mercaptobenzotriazole)或五甲基一苯并三唑(5-methyl-1- benzotriazole); 作为酸之醋酸,磷酸,或草酸。6.一种以化学机械研 磨(CMP)含有金属表面的组合物,该组合物具有pH値3. 0到10.0且该组合物至少包含: 一或多种螯合物试剂,其中至少一螯合物试剂具有 至少一胺或氨基化合物群集; 一或多种氧化剂,其中至少一氧化剂包含过氧化氢 ,硝酸铁或碘酸盐(iodate); 一或多种抗腐蚀剂,其中至少一抗腐蚀剂包含至少 一咯(azole)群集; 一或多种酸包含至少一无机酸或有机酸;及 去离子水,其中该组合物不具研磨料。7.如申请专 利范围第6项所述之组合物,其具有在52℃时静态蚀 刻速率不大于每分钟200。8.如申请专利范围第6 项所述之组合物,其中上述之金属为铜(Cu)或铜合 金。9.如申请专利范围第6项所述之组合物,至少包 含: 0.2到3.0%重量百分比之一或多种螯合物试剂; 0.5到8.0%重量百分比之一或多种氧化剂; 0.02到1.0%重量百分比之一或多种抗腐蚀剂; 一数量之酸足以达到pH値3.0到10.0;及 剩余的去离子水。10.一种以化学机械研磨(CMP)含 有金属表面的组合物,该组合物至少包含: 0.2到3.0%重量百分比之一或多种螯合物试剂,其中 至少一螯合物试剂具有至少一胺或氨基化合物群 集; 0.5到8.0%重量百分比之一或多种氧化剂,其中至少 一氧化剂包含过氧化氢,硝酸铁或碘酸盐(iodate); 0.02到1.0%重量百分比之一或多种抗腐蚀剂,其中至 少一抗腐蚀剂包含至少一咯(azole)群集; 一数量之酸包含至少一无机酸或有机酸且足以达 到pH値3.0到10.0;及 剩余的去离子水,其中该组合物不具研磨料。11.如 申请专利范围第10项所述之组合物,其具有在52℃ 时静态蚀刻速率不大于每分钟200。12.如申请专 利范围第10项所述之组合物,其中上述之金属为铜( Cu)或铜合金。13.如申请专利范围第10项所述之组 合物,至少包含: 作为螯合物试剂之乙撑二胺四乙酸( ethylenediaminetetraacetic acid),乙撑二胺(ethylenediamine) 或甲基甲醯胺(methylformamide); 作为抗腐蚀剂之苯并三唑(benzotriazole),苯并唑( mercaptobenzotriazole)或五甲基一苯并三唑(5-methyl-1- benzotriazole); 作为酸之醋酸,磷酸,或草酸。图式简单说明: 第1图所例举的即为碟形化的现象; 第2图所例举的为侵蚀现象;及 第3-5图所例举的为依照本发明之一实施例利用一 组合物之连续相位制程方法。 |
