| 主权项 |
1.一种于延伸通经一氧化矽层之小孔中形成一铜 垂直互连之方法,该方法包含下列步骤: 一第一步骤,将具有厚度不超过100nm且包含铜及小 于10原子%选自铝、镁、硼、钽、碲与钛群组之合 金元素之铜合金层溅射沉积至该孔之侧面上;及 一后续之第二步骤,将实质上纯的铜层沉积在该铜 合金层上。2.一种金属化结构,其包括: 一包括矽与氧的介电层; 一沉积在该介电层上面的铜合金层,其包括铜及小 于10原子%选自镁、铝、硼与碲群组之合金元素;及 一沉积在该铜合金层上面,实质上纯的铜层。3.如 申请专利范围第2项之金属化结构,进一步在该铜 合金层及该介电层之间包含一界面氧化物层,其包 括矽,该合金元素及氧。4.如申请专利范围第2项之 金属化结构,其中该合金元素包括镁。5.如申请专 利范围第4项之金属化结构,其中该镁的数量为0.05 到6原子%。6.如申请专利范围第2项之金属化结构, 其中该合金元素包括铝。7.如申请专利范围第6项 之金属化结构,其中该铝的数量为0.05到0.3原子%。8 .如申请专利范围第2项之金属化结构,其中该合金 元素系选自由硼,钽,碲及钛所构成之群组。9.如申 请专利范围第2项之金属化结构,其中该介电层包 含伸入该介电层的小孔及其中该铜合金层涂覆在 该小孔的侧面上。图式简单说明: 第1图系为传统PVD反应器的概略剖面图。 第2及3图系为说明传统封包铜合金体的剖面图。 第4图系为介电层里填充孔时所形成之通道的剖面 图。 第5图系为根据本发明具体实施例,填满铜之通道 的剖面图。 第6及7图系为Mg及O穿过本发明铜合金膜的原子分 布图。 第8图系为对冷沉积,然后在指定温度退火的CuMg合 金而言,电阻率对退火时间的函数图。 第9图系为在适当温度下冷沉积,然后在保持在该 温度下的CuMg合金而言,电阻率对退火时间的函数 图。 第10图系为根据本发明的第二具体实施例,填满铜 之通道的剖面图。 第11图系为根据本发明的其中一个具体实施例,填 满铜之通道的剖面图。 第12图系为由第11图之12-12圆圈所指的部分在形成 障蔽层后的放大剖面图。 |
