| 主权项 |
1.一种画素结构的制造方法,包括下列步骤; 提供一基板,该基板上已形成有复数个呈阵列排列 之薄膜电晶体,其中每一该些薄膜电晶体包括一闸 极、一通道层、一源极与一汲极,每一该些薄膜电 晶体上方具有一保护层; 在该保护层上形成一图案化之光阻层,该图案化之 光阻层具有一第一开口与一第二开口,其中该第一 开口系对应于该汲极且暴露出该保护层,该第二开 口系对应于该汲极侧壁上方形成之保护层转角结 构,但并未暴露出该保护层; 去除该第一开口下方之该保护层,以形成一接触窗 开口且暴露出该汲极,并同时移除该第二开口下方 之该保护层转角结构的部分厚度; 去除该图案化之光阻层;以及 在该保护层上与该接触窗开口中形成一画素电极, 以使该画素电极与该汲极电性连接。2.如申请专 利范围第1项所述之画素结构的制造方法,其中形 成该图案化之光阻层之该第二开口的方法系利用 具有一局部曝光区域之一光罩。3.如申请专利范 围第2项所述之画素结构的制造方法,其中该光罩 之该局部曝光区域系为一具有复数条条状图案组 合之区域。4.如申请专利范围第1项所述之画素结 构的制造方法,其中系以一乾式蚀刻制程去除该第 一开口下方之该保护层,以形成一接触窗开口且暴 露出该汲极,并同时移除该第二开口下方之该保护 层转角结构的部分厚度。5.如申请专利范围第1项 所述之画素结构的制造方法,其中该画素电极之材 质包括氧化铟锡。6.如申请专利范围第1项所述之 画素结构的制造方法,其中该保护层之材质包括氮 化矽。7.如申请专利范围第1项所述之画素结构的 制造方法,其中形成该些薄膜电晶体的方法包括: 在该基板上形成复数条扫瞄配线与每一该些薄膜 电晶体之该闸极; 在该基板上形成一闸绝缘层,覆盖该些扫瞄配线与 每一该些薄膜电晶体之该闸极; 在每一该些薄膜电晶体之该闸绝缘层上形成一通 道层;以及 形成复数条资料配线,并同时在每一该些薄膜电晶 体之该通道层两侧形成该源极与该汲极。8.一种 画素结构的制造方法,包括下列步骤; 提供一基板,该基板上已形成有复数个呈阵列排列 之薄膜电晶体,其中每一该些薄膜电晶体包括一闸 极、一通道层、一源极与一汲极,每一该些薄膜电 晶体上方具有一保护层; 移除该汲极上方之部分该保护层以形成一接触窗 开口,并同时移除该汲极侧壁上方形成之保护层转 角结构之部分厚度;以及 在该保护层上与该接触窗开口中形成一画素电极, 以使该画素电极与该汲极电性连接。9.如申请专 利范围第8项所述之画素结构的制造方法,其中移 除该汲极上方之部分该保护层以形成一接触窗开 口,并同时移除该汲极侧壁上方形成之保护层转角 结构之部分厚度的方法包括: 在该保护层上形成一图案化之光阻层,该图案化之 光阻层具有一第一开口与一第二开口,其中该第一 开口系对应于该汲极且暴露出该保护层,该第二开 口系对应于该汲极侧壁上方形成之保护层转角结 构,但并未暴露出该保护层;以及 去除该第一开口下方之该保护层,以形成该接触窗 开口且暴露出该汲极,并同时移除该第二开口下方 之该转角结构的部分厚度。10.如申请专利范围第9 项所述之画素结构的制造方法,其中形成该图案化 之光阻层之该第二开口的方法系利用具有一局部 曝光区域之一光罩。11.如申请专利范围第10项所 述之画素结构的制造方法,其中该光罩之该局部曝 光区域系为一具有复数条条状图案覆盖之区域。 12.如申请专利范围第9项所述之画素结构的制造方 法,其中系以一乾式蚀刻制程去除该第一开口下方 之该保护层,以形成一接触窗开口且暴露出该汲极 ,并同时移除该第二开口下方之该保护层转角结构 的部分厚度。13.如申请专利范围第8项所述之画素 结构的制造方法,其中该画素电极之材质包括氧化 铟锡。14.如申请专利范围第8项所述之画素结构的 制造方法,其中该保护层之材质包括氮化矽。15.如 申请专利范围第8项所述之画素结构的制造方法, 其中形成该些薄膜电晶体的方法包括: 在该基板上形成复数条扫瞄配线与每一该些薄膜 电晶体之该闸极; 在该基板上形成一闸绝缘层,覆盖该些扫瞄配线与 每一该些薄膜电晶体之该闸极; 在每一该些薄膜电晶体之该闸绝缘层上形成一通 道层;以及 形成复数条资料配线,并同时在每一该些薄膜电晶 体之该通道层两侧形成该源极与该汲极。16.一种 避免于制造过程中发生阶梯覆盖不良之层状物制 造方法,其包括下列步骤:于一基板上形成一具侧 壁之第一层结构及覆盖此第一层结构之第二层结 构,在该第二层结构上形成一图案化之光敏材料层 ,该图案化之光敏材料层具有一第一开口与一第二 开口,其中该第一开口系对应于该第一层结构之非 侧壁位置且暴露出该第二层结构,该第二开口系对 应于该第一层结构之侧壁位置上方,但并未暴露出 该第二层结构; 去除该第一开口下方之第二层结构,以形成一接触 窗开口且暴露出该第一层结构,并同时移除该第二 开口下方之光敏材料层以及该第二层结构之部分 转角结构的厚度; 去除该图案化之光敏材料层;以及 在该第二层结构上与该接触窗开口中形成一第三 层结构。17.如申请专利范围第16项所述之避免于 制造过程中发生阶梯覆盖不良之层状物制造方法, 其中第一层结构系为导体层。18.如申请专利范围 第16项所述之避免于制造过程中发生阶梯覆盖不 良之层状物制造方法,其中第二层结构系为介电层 。19.如申请专利范围第16项所述之避免于制造过 程中发生阶梯覆盖不良之层状物制造方法,其中光 敏材料层系为光阻层。20.如申请专利范围第16项 所述之避免于制造过程中发生阶梯覆盖不良之层 状物制造方法,其中其中形成该图案化之光敏材料 层之该第二开口的方法系利用具有一局部曝光区 域之一光罩。21.如申请专利范围第20项所述之避 免于制造过程中发生阶梯覆盖不良之层状物制造 方法,其中该光罩之该局部曝光区域系为一具有复 数条条状图案覆盖之区域。22.如申请专利范围第 16项所述之避免于制造过程中发生阶梯覆盖不良 之层状物制造方法,其中系以一乾式蚀刻制程去除 该第一开口下方之该第二层结构,以形成一接触窗 开口且暴露出该第一层结构,并同时移除该第二开 口下方之光敏材料层以及该第二层结构之部分转 角结构的厚度。图式简单说明: 第1图为习知画素结构的剖面示意图;以及 第2A图至第2D图是依照本发明一较佳实施例之画素 结构的制造方法流程剖面示意图。 |
