| 主权项 |
1.一种用于一微影装置的反射光罩,该光罩具有较 高反射系数区及较低反射系数区定义一具有最小 印刷特征尺寸的光罩图案,其特征为: 该低反射系数区包括一层,其具有一结构,其尺寸 小于该最小印刷特征尺寸致使从该低反射系数区 的镜面反射减少。2.如申请专利范围第1项之光罩, 其中该结构包括一相位光栅。3.如申请专利范围 第2项之光罩,其中该光栅包括台面及凹穴,致使从 该等台面及从该等凹穴反射的曝光辐射之间有一 实质上为弧度的相移。4.如申请专利范围第3项 之光罩,其中该等台面总面积对该等凹穴总面积之 比的范围为2/3至3/2。5.如申请专利范围第1.2.3或4 项之光罩,其中该相位光栅具有一节距致使该第1 级绕射光束置于该微影装置的该投影系统的光瞳 之外。6.如申请专利范围第2.3或4项之光罩,其中该 光栅为二维。7.如申请专利范围第1项之光罩,其中 该结构形成一散射层以用于散射该反射辐射构成 一大立体角。8.如申请专利范围第7项之光罩,其中 该结构为一表面结构。9.如申请专利范围第7项之 光罩,其中该结构为内部结构,并由复数个不同方 位的界限组成。10.如申请专利范围第9项之光罩, 其中该层由粒状材料形成。11.如申请专利范围第1 .2.3.4.7.8.9或10项之光罩,其中该层由钽(Ta)及/或氮 化钽(TaN)形成。12.如申请专利范围第7.8.9或10项之 光罩,其中该结构具有一均方根粗糙度大于或等于 1 nm。13.一种装置制造方法,其包括下列步骤: -提供一基板,该基板至少部份由一层辐射感应材 料所覆盖; -使用一辐射系统提供一辐射投影光束; -使用图案化构件赋予该投影光束的断面具有一图 案; -使用投影系统将该图案化辐射光束投影至辐射感 应材料层之一目标部分上面; 其中使用图案化构件的该步骤包括定位一光罩,其 具有较高反射系数区及较低反射系数区定义该图 案;其特征为: 该等低反射系数区包括一层,其具有一表面结构, 其尺寸小于由该投影系统在该基板上解析的该图 案的最小印刷特征。14.如申请专利范围第13项之 方法,其中该结构包括一相位光栅,其包括台面及 凹穴致使从该等台面及从该等凹穴反射的该投影 光束的辐射之间有一实质上为弧度的一相移。 15.她申请专利范围第14项之方法,其中该相位光栅 具有一节距p,其满足以下的不等式: 其中为该投影光束的辐射的波长,及、NA及M分 别为该投影系统的光瞳充填比、数値孔径及放大 率。16.一种微影投影装置,其包括: -一辐射系统,用于提供一辐射投影光束; -一支撑结构,用于支撑图案化构件,该图案化构件 则用来根据一所需图案而图案化该投影光束; -一基板台,用于固定一基板; -一投影系统,用于将该图案化光束投影在基板的 一目标部份上面; 一光学元件,包括在该辐射系统或该投影系统内, 至少该元件的一部份具有一吸收层;其特征为: 该光学元件的该吸收层具有一结构,其尺寸小于由 该投影系统解析的最小特征尺寸,致使从该吸收层 的镜面反射减低。17.一种装置制造方法,其包括下 列步骤: -提供一基板,该基板至少部份由一层辐射感应材 料所覆盖; -利用一辐射系统提供一辐射投影光束; -使用图案化构件赋予该投影光束的断面具有一图 案; -将该图案化之辐射光束投影至辐射感应材料层之 一目标部份上面, 其特征为: 吸收一光学元件上的一吸收层中一部份的该投影 光束,该光学元件的该吸收层具有一结构,其尺寸 小于由该投影系统解析的最小特征尺寸,致使从该 吸收层的该镜面反射减少。图式简单说明: 图1显示一微影投影装置,其中使用根据本发明具 体实施例的光罩; 图2显示用来说明本发明功能的光罩图案的例子; 图3显示根据本发明一具体实施例施加一次解析度 图案予一光罩; 图4显示图2光罩图案覆盖在图3次解析度图案上面; 图5为一示意图,用来说明根据第一具体实施例的 光罩如何作用; 图6为一曲线图,显示镜面反射的相对功率作为次 解析度图案的负载比及相位步进的函数; 图7及8显示根据本发明一具体实施例的制造光罩 方法中用来曝光光阻的第一及第二驻波图案; 图9显示曝光图7及8的驻波图案产生的合成影像;及 图10至13显示根据本发明的一具体实施例制造光罩 方法的步骤;及 图14为一示意图,用来说明根据第二具体实施例的 光罩如何作用。 |
