| 主权项 |
1.一种半导体单结晶之成长方法,其系具有:填充原 料之坩埚,与围绕该坩埚之加热器,与对于坩埚内 之熔液接触种结晶以成长单结晶拉起之装置,与收 容上述各构件之金属室使用半导体结晶制造装置 之捷克拉尔斯基法之者,其特征为:在上述坩埚下 方配置补助加热装置,对于于结晶之拉起中之成长 前之原料熔液重量之成长结晶之重量比例变成60% 以上时以后,除了围绕上述坩埚之加热器之加热之 外,使用上述补助加热装置之补助性地加热坩埚以 拉起单结晶。2.如申请专利范围第1项之半导体单 结晶之成长方法,其中使用上述补助加热装置之加 热,系将单结晶表面之拉起支方向之温度坡度,不 依据上述成长前之原料熔液重量之成长结晶之重 量比例而保持一定。3.如申请专利范围第1项或第2 项之半导体单结晶之成长方法,其中围绕上述坩埚 之加热器与上述补助加热装置之电力値,及/或两 者之电力値之比例使用综合传热解析计算求取作 为控制目标値,能够接近控制目标値拉起单结晶时 控制上述加热器与补助加热装置之电力。4.一种 半导体单结晶之成长方法,其系具有:填充原料之 坩埚,与围绕该坩埚之加热器,与对于坩埚内之熔 液接触种结晶以成长单结晶拉起之装置,与收容上 述各构件之金属室使用半导体结晶制造装置之捷 克拉尔斯基法之者,其特征为:在上述坩埚下方配 置补助加热装置,将使其成长之单结晶棒从熔液分 离从结晶制造装置取出之后,留在坩蜗内之原料重 新添加原料加以熔化,将种结晶接触熔液再次拉起 单结晶时,至少从单结晶棒分离熔液时,在坩埚内 重新所投入坩埚内之原料直到完全熔化时,为了不 使上述原料熔液固化使用围绕上述坩蜗之加热器 与上述补助加热装置加热坩埚。图式简单说明: 第1图系表示本发明所使用之结晶拉起装置一例之 说明图。 第2图系表示本发明之结晶拉起时之加热器电力与 单化率之关系一例之图。 第3图系表示以往结晶拉起装置一例之说明图。 第4图系表示以往结晶拉起时之加热器电力与单化 率之关系一例之说明图。 |
