| 主权项 |
1.一种光阻组合物,其系包含(a)一成像共聚物及(b) 一光酸发生剂,其中该成像共聚物系包含: i)20至45%莫耳百分比之环烯烃(cyclic olefin)单体,其 具有酸不安定基团以抑制其在硷性水溶液之溶解 度; ii)一40至60%莫耳百分比之共聚单体,其可与环烯烃 单体进行自由基共聚合反应者;及 iii)5至40%莫耳百分比之环烯烃单体,其具有下式结 构者: 其中n为0或一整数,且R1系选自下列之群组:氢原子 、C1-C6烷基及磺醯胺基, 其中上述之单体iii)基本上由C1-C6烷基化之环烯烃 组成;或上述之单体iii)基本上由10至20%莫耳百分比 之C1-C6烷基化环烯烃及5至15%莫耳百分比之具磺醯 胺官能基之环烯烃组成;其中莫耳百分比之计算, 系基于上述之成像共聚物中所有单体之总莫耳数 。2.如申请专利范围第1项所述之光阻组合物,其中 上述之成像共聚物基本上由上述之单体i)、ii)及 iii)所组成。3.如申请专利范围第1项所述之光阻组 合物,其更包含(c)一5至25%重量百分比之巨大的厌 水性添加物,该添加物不吸收193奈米之辐射光,该 重量百分比之计算,系基于上述之环烯烃聚合物之 总重,其中该巨大的厌水性添加物包含一种选自下 列群组之化合物:饱和类固醇(steroid)化合物、非类 固醇脂环化合物及非类固醇多脂环化合物,其在至 少两个脂环基间具有复数个酸不安定性的连接基 团。4.如申请专利范围第1项所述之光阻组合物,其 中上述之成像共聚物至少包含30至40%莫耳百分比 之单体i)。5.如申请专利范围第1项所述之光阻组 合物,其中上述之烷基化环烯烃系为C4烷基化环烯 烃。6.如申请专利范围第1项所述之光阻组合物,其 中上述之单体iii)占上述成像共聚物中所有单体之 总莫耳数之5至25%。7.如申请专利范围第1项所述之 光阻组合物,其中上述之单体i)包含一具有一巨大 的C5-C20之烃类酸保护基。8.如申请专利范围第3项 所述之光阻组合物,其中上述之巨大的厌水性添加 物系包含一种内含至少10个碳原子且具有一个脂 环基之化合物。9.如申请专利范围第1项所述之光 阻组合物,其中上述之单体ii)之系选自之下列群组 :马来酐及顺丁烯二酸醯亚胺。10.如申请专利范围 第1项所述之光阻组合物,其中上述之光阻组成剂 包含至少0.5%重量百分比之上述的光酸发生剂;该 重量百分比之计算,系基于上述之成像共聚物之总 重。11.一种在基板上形成图案化光阻结构之方法, 该方法包含: (A)将一种光阻组合物涂覆在上述基板上,以在该基 板上形成一光阻层,上述之光阻组合物系包含(a)一 种成像共聚物,及(b)一种光酸发生剂,其中该成像 共聚物系包含: i)环烯烃单体,其具有酸不安定基团以抑制其在硷 性水溶液之溶解度; ii)一种共聚单体,其可与环烯烃单体进行自由基共 聚合反应者;及 iii)环烯烃单体,其具有下式结构者: 其中n为0或一整数,且R1系选自下列之群组:氢原子 、C1-C6烷基及磺醯胺基; 其中上述之成像共聚物系包含20至45%莫耳百分比 之单体i)、40至60%莫耳百分比之单体ii)及5至40%莫 耳百分比之单体iii),其中上述之单体iii)系包含15% 或15%以下莫耳百分比之具磺醯胺官能基之环烯烃; 其中莫耳百分比之计算,系基于上述之成像共聚物 中所有单体之总莫耳数, (B)将上述基板图案曝露在193奈米之紫外光的辐射 光下,在该辐射光曝露部份之光阻层所含的光酸发 生剂会产生酸;及 (C)使上述之基板与一硷性水溶液接触,该曝露于辐 射光下部份之光阻层会选择性地溶解,该基板上即 显示出上述之图案化光阻结构。12.如申请专利范 围第11项所述之方法,其中上述之光阻更包含(c)一5 至25%重量百分比之巨大的厌水性添加物,该添加物 不吸收193奈米之辐射光,该重量百分比之计算,系 基于上述之环烯烃聚合物之总重,其中该巨大的厌 水性添加物包含一种选自下列群组之化合物:饱和 类固醇(steroid)化合物、非类固醇脂环化合物及非 类固醇多脂环化合物,其在至少两个脂环基间具有 复数个酸不安定性的连接基团。13.如申请专利范 围第11项所述之方法,其中上述之基板在步骤(B)及( C)间被烘烤。 |
