| 主权项 |
1.一种制备双金属触媒之方法,该方法包含: (a)提供一种承载的非二茂金属触媒,藉由: (i)将颗粒状载体物质于温度大于600℃下脱水; (ii)在非极性碳氢化合物中制备脱水载体的浆液; (iii)以有机镁化合物RMgR'与(ii)的浆液接触,其R与R' 为相同或不同的C2-C12烷基团; (iv)以第4族或第5族过渡金属的非二茂金属化合物 与浆液(iii)接触; (v)乾燥(iv)的产物,以获得承载的非二茂金属触媒; (b)将在非极性碳氢化合物中的承载的非二茂金属 触媒的浆液,与在芳族溶剂中的二茂金属化合物及 C1-C8烷基铝氧烷的溶液接触; (c)乾燥(b)的产物,以获得承载的双金属触媒。2.如 申请专利范围第1项之方法,其中载体物质为矽胶 。3.如申请专利范围第1项之方法,其中载体物质在 温度自650℃至900℃下脱水。4.如申请专利范围第1 项之方法,其中载体物质在温度自700℃至850℃下脱 水。5.如申请专利范围第1项之方法,其中载体物质 在温度自750℃至800℃下脱水。6.如申请专利范围 第1项之方法,其中(a)的非极性碳氢化合物系选自 由C4-C10直链或分支链的烷类、环烷类与芳族类组 成的群组。7.如申请专利范围第1项之方法,其中有 机镁化合物为二丁基镁。8.如申请专利范围第1项 之方法,其中有机镁化合物量为每克脱水的承载物 质使用自0.2mmol至2mmol有机镁化合物。9.如申请专 利范围第1项之方法,进一步含有在步骤(iv)之前,将 浆液(iii)与电子提供者接触。10.如申请专利范围 第9项之方法,其中电子提供者含有醇R"OH,其R"为C1-C 12烷基团。11.如申请专利范围第10项之方法,其中 醇为正-丁醇。12.如申请专利范围第10项之方法,其 中醇的用量为由有机镁化合物提供的每莫耳镁使 用0.2至1.5莫耳。13.如申请专利范围第1项之方法, 其中第4或5族过渡金属为钛或钒。14.如申请专利 范围第1项之方法,其中非二茂金属过渡金属化合 物为卤化钛、氧基卤化钛、烷氧卤化钛、卤化钒 、氧基卤化钒、烷氧卤化钒。15.如申请专利范围 第1项之方法,其中非二茂金属过渡金属化合物的 使用量为由有机镁化合物提供的每莫耳镁使用0.3 至1.5莫耳的第4或5族过渡金属。16.如申请专利范 围第1项之方法,其中二茂金属化合物为取代的、 未架桥的双环戊二烯基化合物。17.如申请专利范 围第1项之方法,其中步骤(b)系在温度小于90℃下进 行。18.一种制备双金属触媒之方法,该方法包含: (a)提供一种承载的非二茂金属触媒,藉由: (i)将矽胶于温度大于600℃下脱水; (ii)在非极性碳氢化合物中制备脱水矽胶的浆液; (iii)以二丁基镁与(ii)的浆液接触; (iv)以正-丁醇与(iii)的浆液接触; (v)以四氯化钛与(iv)的浆液接触; (vi)乾燥(v)的产物,以获得承载的非二茂金属钛触 媒; (b)将在非极性碳氢化合物中的承载的非二茂金属 钛触媒的浆液,与在芳族溶剂中的锆或铪二茂金属 化合物及甲基铝氧烷的溶液接触; (c)乾燥(b)的产物,以获得承载的双金属触媒。19.如 申请专利范围第18项之方法,其中矽胶系在温度650 ℃至900℃下脱水。20.如申请专利范围第18项之方 法,其中矽胶系在温度700℃至850℃下脱水。21.如申 请专利范围第18项之方法,其中矽胶系在温度750℃ 至800℃下脱水。22.如申请专利范围第18项之方法, 其中(a)中的非极性碳氢化合物系选自由C4-C10的直 链或分支链烷类、环烷类与芳族类所组成的群组 。23.如申请专利范围第18项之方法,其中二丁基镁 的使用量为每克脱水矽胶使用自0.2mmol至2mmol二丁 基镁化合物。24.如申请专利范围第18项之方法,其 中正-丁醇的使用量为每莫耳二丁基镁使用自0.2至 1.5mol二丁基镁。25.如申请专利范围第18项之方法, 其中四氯化钛的使用量提供每莫耳二丁基镁自0.3 至1.5mol钛。26.如申请专利范围第18项之方法,其中 二茂金属化合物为取代的、未架桥的双环戊二烯 基化合物。27.如申请专利范围第18项之方法,其中 步骤(b)系在温度小于90℃下进行。图式简单说明: 图1显示承载的非二茂金属过渡金属触媒与承载的 双金属触媒的平均活性对矽胶的脱水温度。 |
