半导体用之扫瞄工具的校正方法以及用于校正扫瞄工具的标准校正片

摘要

一种半导体用之扫瞄工具的校正方法，此方法系首先提供具有一标准图案之一晶圆，其中此标准图案之侧壁系呈斜坡状。之后利用一扫瞄工具扫瞄晶圆上之标准图案以取得一讯号，此讯号系表现出标准图案之侧壁处的位置，利用讯号即能对扫瞄工具作X方向、Y方向以及Z方向之校正。由于本发明之方法不但能对扫瞄工具作X方向与Y方向之校正，而且还能对Z方向作校正，因此，可以改善知技术因无法校正Z方向而使扫瞄工具仍有偏差之问题。伍、(一)、本案代表图为：第3图(二)、本案代表图之元件代表符号简单说明：200：晶圆 202：膜层 204：标准图案206；侧壁 302、304：波峰讯号 310a、310b：波峰讯号起始处 312a、312b：波峰讯号结束处 D：关键尺寸

主权项

1.一种半导体用之扫瞄工具的校正方法,包括: 提供具有一标准图案之一晶圆,其中该标准图案之 侧壁系呈斜坡状;以及 利用一扫瞄工具扫瞄该晶圆上之该标准图案,以取 得一讯号,该讯号系表现出该标准图案之侧壁处的 位置,利用该讯号即能对该扫瞄工具作X方向、Y方 向以及Z方向之校正。2.如申请专利范围第1项所述 之半导体用之扫瞄工具的校正方法,其中该晶圆系 为一测试晶圆。3.如申请专利范围第1项所述之半 导体用之扫瞄工具的校正方法,其中该晶圆系为一 产品晶圆。4.如申请专利范围第1项所述之半导体 用之扫瞄工具的校正方法,其中该扫瞄工具系为一 扫瞄式电子显微镜。5.如申请专利范围第1项所述 之半导体用之扫瞄工具的校正方法,其中该标准图 案系为一开口图案,且该开口图案系为由上往下缩 小之开口图案。6.如申请专利范围第1项所述之半 导体用之扫瞄工具的校正方法,其中该标准图案系 为一凸起图案。7.一种标准校正片,其系用以校正 半导体用之一扫瞄工具,该标准校正片包括: 一晶圆;以及 一标准图案,配置于该晶圆上,其中该标准图案之 侧壁系呈斜坡状,且该标准图案之尺寸系为一关键 尺寸。8.如申请专利范围第7项所述之标准校正片, 其中该晶圆系为一测试晶圆。9.如申请专利范围 第7项所述之标准校正片,其中该晶圆系为一产品 晶圆。10.如申请专利范围第7项所述之标准校正片 ,其中该标准图案系为一开口图案,且该开口图案 系为由上往下缩小之开口图案,该开口图案底部之 尺寸系为该关键尺寸。11.如申请专利范围第7项所 述之标准校正片,其中该标准图案系为凸起图案。 图式简单说明: 第1图是习知用于校正扫瞄式电子显微镜之标准校 正片之剖面示意图; 第2图是依照本发明一较佳实施例之用于校正扫瞄 式电子显微镜之标准校正片之剖面示意图; 第3图是利用第2图之标准校正片进行扫瞄式电子 显微镜校正之讯号示意图; 第4图是依照本发明另一较佳实施例之用于校正扫 瞄式电子显微镜之标准校正片之剖面示意图;以及 第5图是利用第4图之标准校正片进行扫瞄式电子 显微镜校正之讯号示意图。