| 发明名称 |
PROCEDE DE FABRICATION DE FILM POLYMERE CONDUCTEUR ANISOTROPE SUR TRANCHE DE SEMI-CONDUCTEUR |
| 摘要 |
<P>L'invention concerne un procédé de fabrication de film polymère conducteur anisotrope (23, 24) sur une tranche de semi-conducteur (T) comprenant, sur une face, une couche de passivation (12) dans laquelle est pratiquée au moins une ouverture laissant apparaître un plot de connexion (11).L'invention s'applique à la formation de composants (puces, circuits intégrés) à haute densité d'interconnexions.</P> |
| 申请公布号 |
FR2842943(A1) |
申请公布日期 |
2004.01.30 |
| 申请号 |
FR20020009378 |
申请日期 |
2002.07.24 |
| 申请人 |
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE |
发明人 |
SOURIAU JEAN CHARLES;RENARD PIERRE;BRUN JEAN |
| 分类号 |
H01L21/288;H01L21/60;H01L21/68;H01L21/768;H01L23/485;H01L23/532 |
主分类号 |
H01L21/288 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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