发明名称 Elektronisches Bauteil mit mehrschichtiger Umverdrahtungsplatte und Verfahren zur Herstellung desselben
摘要 Die Erfindung betrifft ein elektronisches Bauteil (1) mit einer mehrschichtigen Umverdrahtungsplatte (2), die einen Schaltungschip (3), insbesondere einen magnetischen Speicherchip (4) trägt und Kontaktflächen des Chips (5) über Umverdrahtungsleitungen (6) mit Außenkontakten (7) des elektronischen Bauteils (1) verbindet. Die Umverdrahtungsplatte (2) weist mindestens eine strukturierte magnetische Abschirmschicht (8) aus einem amorphen Metall oder einer amorphen Metall-Legierung auf. Ferner umfasst die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung dieses elektronischen Bauteils (1).
申请公布号 DE10229542(A1) 申请公布日期 2004.01.29
申请号 DE2002129542 申请日期 2002.07.01
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 WENNEMUTH, INGO;THOMAS, JOCHEN
分类号 H01L23/31;H01L23/495;H01L23/498;H01L23/552 主分类号 H01L23/31
代理机构 代理人
主权项
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