| 发明名称 |
Method for producing group III nitride compound semiconductor and group III nitride compound semiconductor device |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
AU769574(B2) |
申请公布日期 |
2004.01.29 |
| 申请号 |
AU20010024005 |
申请日期 |
2000.12.21 |
| 申请人 |
TOYODA GOSEI CO., LTD. |
发明人 |
MASAYOSHI KOIKE;YUTA TEZEN;TOSHIO HIRAMATSU |
| 分类号 |
C30B29/38;H01L21/20;H01L21/205;H01L33/06;H01L33/16;H01L33/22;H01L33/32;H01S5/323;H01S5/343;(IPC1-7):H01L21/205;H01L33/00 |
主分类号 |
C30B29/38 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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