发明名称 |
Halbleiterspeicher mit einer Anordnung von Speicherzellen |
摘要 |
Es wird ein Halbleiterspeicher mit einer neuartigen Geometrie des Speicherzellenfeldes vorgeschlagen. Ohne den Abstand zwischen einander nächstbenachbarten Speicherkondensatoren (3) zu verringern, können zwischen benachbarten Leitungen (2), insbesondere Wortleitungen (2), zusätzliche Leitungen strukturiert werden. Bei einer bevorzugten Ausführungsform wird die Anzahl der bei gleichbleibender Anzahl von Speicherzellen (5) benötigten Wortleitungen (2) verringert, wodurch Wortleitungstreiber eingespart werden und Substratfläche gewonnen wird.
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申请公布号 |
DE10234945(B3) |
申请公布日期 |
2004.01.29 |
申请号 |
DE20021034945 |
申请日期 |
2002.07.31 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
STIEF, REIDAR;FUHRMANN, DIRK |
分类号 |
H01L27/108;G11C5/06;G11C7/18;G11C8/14;H01L21/8242;H01L27/02;(IPC1-7):H01L27/108;G11C5/10 |
主分类号 |
H01L27/108 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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