发明名称 Halbleiterspeicher mit einer Anordnung von Speicherzellen
摘要 Es wird ein Halbleiterspeicher mit einer neuartigen Geometrie des Speicherzellenfeldes vorgeschlagen. Ohne den Abstand zwischen einander nächstbenachbarten Speicherkondensatoren (3) zu verringern, können zwischen benachbarten Leitungen (2), insbesondere Wortleitungen (2), zusätzliche Leitungen strukturiert werden. Bei einer bevorzugten Ausführungsform wird die Anzahl der bei gleichbleibender Anzahl von Speicherzellen (5) benötigten Wortleitungen (2) verringert, wodurch Wortleitungstreiber eingespart werden und Substratfläche gewonnen wird.
申请公布号 DE10234945(B3) 申请公布日期 2004.01.29
申请号 DE20021034945 申请日期 2002.07.31
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 STIEF, REIDAR;FUHRMANN, DIRK
分类号 H01L27/108;G11C5/06;G11C7/18;G11C8/14;H01L21/8242;H01L27/02;(IPC1-7):H01L27/108;G11C5/10 主分类号 H01L27/108
代理机构 代理人
主权项
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