| 摘要 |
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine organisch-antireflektierende Beschichtungszusammensetzung und ein Verfahren zum Bilden von Fotolackmustern unter Verwendung derselben, geeignet zum Verhindern von Reflektionen einer unteren Filmschicht oder eines Substrates einer Fotolackschicht und zum Reduzieren von stehenden Wellen, verursacht durch Licht und Variationen der Dicke des Fotolackes selbst, wodurch die Gleichförmigkeit des Fotolackmusters angehoben wird, mit Bezug auf einen mikrofeinen musterbildenden Prozess, welcher Fotolacke für eine Fotolithographie verwendet, unter Verwendung von F¶2¶ mit 157 nm Wellenlänge, unter Prozessen zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes. Insbesondere bezieht sich die vorliegende Erfindung auf eine organische antireflektierende Beschichtungszusammensetzung und ein Verfahren zum Bilden von Fotolackmustern unter Verwendung derselben, welches ein extremes Absorptionsvermögen der antireflektierenden Schicht verhindern kann und somit die Reflektivität der Schicht minimieren kann, so dass sie effizient die stehenden Wellen entfernen kann und die Gleichförmigkeit des Fotolackmusters erhöhen kann, indem insbesondere Silizium-organisch basierte Polymere zusätzlich zu den konventionell erhältlichen organischen antireflektierenden Beschichtungszusammensetzungen enthalten sind. |
