发明名称 |
Verfahren zum Speichern von Information in einem ferroelektrischen Material, Verfahren zum Auslesen von in einem ferroelektrischen Material gespeicherter Information sowie Vorrichtung zum Speichern von Information und Auslesen in einem ferroelektrischen Material |
摘要 |
Zum Speichern von Informationen in einem ferroelektrischen Material (2) wird mittels einer Probensonde (6) mechanisch auf einzelne Domänen (4b) eingewirkt und dadurch eine Polarisationsumkehr der einzelnen Domänen hervorgerufen, wobei zur Stabilisierung der Polarisationsänderung/-umkehr unterhalb des ferroelektrischen Materials befindliche Elektroden (30a, 30b) mit einer Vorspannung (U¶a¶, U¶b¶) beaufschlagt werden können. Mit der Polarisationsumkehr tritt eine Veränderung der Oberflächentopographie des ferroelektrischen Materials (2) auf, die zum Auslesen der Information herangezogen werden kann. Die eingespeicherte Information wird daher durch Ermittlung der Oberflächentopographie des ferroelektrischen Materials gewonnen. Das Einschreiben und Auslesen der Information erfolgt mittels einer AFM-Spitze, wobei zum Einschreiben die Spitze im contact oder tapping mode, zum Auslesen zusätzlich auch im non-contact betrieben werden kann.
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申请公布号 |
DE10232386(A1) |
申请公布日期 |
2004.01.29 |
申请号 |
DE2002132386 |
申请日期 |
2002.07.17 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
ZYBILL, CHRISTIAN ERICH;SCHINDLER, GUENTHER;VOGEL, MARKUS |
分类号 |
G11B9/00;G11B9/02;G11B11/00;G11B11/16;G11C11/22;(IPC1-7):G11B9/02 |
主分类号 |
G11B9/00 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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