闪存元件的制造方法

摘要

本发明公开了一种闪存元件的制造方法，此方法是于一基底上形成堆栈栅极结构与源极/漏极区后，先后在基底上形成一层内层介电层与复数层金属层间介电层。其中，内层介电层与金属层间介电层中至少有一层介电层上形成有一保护层(碳化硅层或低介电常数的旋涂式介电材料层)以保护元件，防止紫外光穿透造成元件产生数据错误等问题。

主权项

1.一种闪存元件的制造方法，其特征在于该方法包括：在一基底上形成一堆栈栅极结构，并在该基底中形成一源极/漏极区；在该基底上形成一内层介电层；在该基底上形成复数层金属层间介电层，其中该内层介电层与该些金属层间介电层之中至少有一介电层上形成一保护层，该保护层的材质是选自碳化硅与一低介电常数的旋涂式介电材料所组成族群的其中之一。