半导体器件的图案形成方法及半导体器件

摘要

一种半导体器件的图案形成方法，由在形成半导体器件的光刻胶图案的过程中在防反射膜上形成细微弯曲，来增大光刻胶与防反射膜间的接触面积，并能防止光刻胶图案崩溃现象，同时，重复积层有不同折射率和吸光度的两层防反射膜，能防止因防反射膜的弯曲而降低图案关键尺寸的均匀度。一种半导体器件的图案形成方法包括：在被蚀刻层的上部涂布第一层有机防反射膜组成物，对其进行烘烤形成第一层有机防反射膜；在第一层防反射膜上部，涂布有与第一层防反射膜不同折射率和吸光度的第二层防反射膜组成物，对其进行烘烤形成第二层防反射膜；对形成的防反射膜进行蚀刻，而在防反射膜上形成细微弯曲；在有机防反射膜上涂布光刻胶，曝光显影后形成光刻胶图案。

主权项

1.一种半导体器件的图案形成方法，包括如下步骤：(a)在被蚀刻层的上部涂布第一层有机防反射膜组成物，对其进行烘烤形成第一层有机防反射膜；(b)在所述第一层防反射膜的上部，涂布具有与第一层防反射膜不同折射率以及吸光度的第二层防反射膜组成物，并对其进行烘烤形成第二层防反射膜；(c)对所述形成的防反射膜进行蚀刻，在防反射膜上形成细微弯曲；(d)在所述有机防反射膜上涂布光刻胶，曝光显影而形成光刻胶图案。